第1a章 基本半导体分立器件.pptVIP

 问题1：这一章要学什么呢? 问题2：“分立”是什么意思？ 问题3：顾名思义，半导体器件一定是由半导体材料制成的，为什么其他材料，比如说导体不能作为构成电子器件的主要材料呢？ 退出 1.3 晶体管 主要要求： 了解半导体晶体管的结构、类型与参数 掌握半导体晶体管的电流分配关系 掌握半导体晶体管的特性曲线的含义 理解晶体管的放大作用 了解复合晶体管的概念与意义 退出 晶体管的结构 1.3.1 晶体管的结构和类型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 NPN 型 E C B 三区 三极 两结 集电区 基区 发射区 集电极 Collector 基极Base 发射极Emitter 集电结 发射结 — 集电区 — 发射区 P P N PNP型 常见三极管的外形与实物 退出 下面以NPN管为例讨论晶体管的电流分配与放大作用，所得结论一样适用于PNP三极管。 1.3.2 晶体管的基本工作原理 注意：晶体管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 晶体管电流关系实验电路 1.晶体管的电流分配关系 1.晶体管的电流放大作用 三极管的电流放大作用 退出 晶体管电流分配和放大作用 正偏使发射结 使集电结反偏 1.发射区向基区发射电子，形成发射极电流IE的主要成份。 IE 2.基区中电子的复合形成基极电流IB的主要成份。 IB 3.集电区收集电子形成集电极电流IC的主要成份。 IC 退出 综上所述，得到三极管的电流分配关系： （1）IE=IC+IB （2）IC=βIB （3）IE=IC+IB =（1+ β ）IB≈ IC 晶体管中还有一些少子电流，比如ICBO ，通常可以忽略不计，但它们对温度十分敏感。 退出 1.3.3 晶体管的特性曲线 晶体管有三个电极，因此，分别将三极管的三个电极作为输入端、输出端和公共端，有三种不同的三极管电路的组成方式。根据公共电极的不同，分别叫做共发射极电路、共集电极电路和共基极电路。 退出 1.3.3 三极管的特性曲线 1. 输入特性曲线 uCE≧1V，集电结反偏，电场足以将发射区扩散到基区的载流子吸收到集电区形成IC， uCE 再增大曲线也几乎不变 死区电压与导通电压UBE 硅管分别约为0.5V和0.7V 锗管分别约为0.1V和0.3V （1）截止区——iB=0曲线以下的区域： iC= ICEO ≈ 0，两结均反偏，三极管各电极电流均约等于0，所以可以等效为断开的开关； 退出 1.3.3 三极管的特性曲线 2. 输出特性曲线 放 大 区 截止区 ICEO 饱 和 区 （2）放大区——在iB=0的特性曲线上方，近似平行于横轴的曲线族部分： iC基本不随uCE变化仅受iB控制，iC=βiB，发射结正偏、集电结反偏，相当于受控电流源。 uCE /V iC / mA 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 2 4 6 8 10 25 20 15 10 5 （3）饱和区——输出特性曲线近似直线上升部分： 三极管饱和时管压降uCE很小，叫做饱和压降uCES，两结均正偏，相当于闭合开关。 退出 1.3.4 三极管的主要参数 1.电流放大系数 交流电流放大系数 直流电流放大系数 交流、直流电流放大系数的意义不同，但在输出特性线性良好的情况下，两个数值的差别很小，一般不作严格区分。 退出 1.3.4 三极管的主要参数 2.极间反向电流 集、基间反向饱和电流 集、射间反向饱和电流 （穿透电流） 测试电路 测试电路 反向电流受温度 影响大 越小越好 退出 1.3.4 三极管的主要参数 3.极限参数 集电极最大允许电流 反向击穿电压 集电极最大允许耗散功率 集电极电流超过一定数值时β要下降 击穿时三极管电流急剧增大，会使三极管损坏 功耗过高会烧毁三极管 3.极限参数 和 4.温度对晶体管参数的影响 晶体管受温度影响较大的参数是 1.3.5 晶体管在电子技术的应用 1.放大应用 2.开关应用 （a）开关电路（b）截止时的等效电路（c）饱和时的等效电路 【相关链接】你会用万用表对三极管的电极与性能进行简单的测试吗？ 退出 1.