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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1.7 、绝缘栅双极型晶体管 IGBT：绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 。 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降特性两者优点的一种复合器件。 IGBT于1982年开始研制，1986年投产，是发展最快而且很有前途的一种混合型器件。 目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。 在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场。 （1）IGBT的伏安特性（如图a) 反映在一定的栅极一发射极电压UGE下器件的输出端电压UCE与电流Ic的关系。 IGBT的伏安特性分为:截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。 图1.7.2 IGBT的伏安特性和转移特性 1、IGBT的伏安特性和转移特性 返回 1.8 、其它新型电力电子器件 1.8.1 静电感应晶体管 1.8.2 静电感应晶闸管 1.8.3 MOS控制晶闸管 1.8.4 集成门极换流晶闸管 1.8.5 功