哈工大微电子工艺06化学气相淀积.pptVIP

微电子工艺—薄膜技术(2) 第6章 化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition) 第6章 化学气相淀积 (CVD) 6.1 CVD模型 6.2 CVD淀积系统 6.3 多晶硅薄膜 6.4 二氧化硅薄膜 6.5 氮化硅薄膜 6.6 金属及硅化物薄膜 6.7 薄膜的检测 6.1 CVD模型 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积薄膜的工艺方法。 淀积的薄膜是非晶或多晶态，衬底不要求是单晶，只要是具有一定平整度，能经受淀积温度即可。 6.1.1 CVD过程 (1)反应剂被携带气体引入反应器后，在衬底表面附近形成“滞留层”，然后，在主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面 (2)反应剂被吸附在硅片表面，并进行化学反应 （3)化学反应生成的固态物质，即所需要的淀积物，在硅片表面成核、生长成薄膜 (4)反应后的气相副产物，离开衬底表面，扩散回边界层，并随输运气体排出反应室 CVD的化学反应条件 （1）在淀积温度下，反应剂需有足够高的蒸气压； （2）除淀积物外，反应的其它物质必须是挥发性； （3）淀积物本身必须具有足够低的蒸气压 （4）薄膜淀积所用的时间必须足够短----高效率，低成本 （5）淀积温度必须足够低----避免对先前工艺影响 （6）CVD不允许化学反应的气态副产物进入薄膜 （7）化学反应必须在被加热的衬底表面 6.1.2 边界层理论 CVD反应室内的流体动力学 反应室工作气体是常压或初真空度，分子平均自由程远小于反应室尺寸，气流是粘滞流。 当气流流过静止固体表面时，固体表面与气流间存在摩擦力，使紧贴表面或者侧壁气流速度为零。 管型反应室气流速度在径向是抛物线形，称泊松流。 边界层（附面层，滞流层） 边界层厚度 雷诺数 Re2000为层流 与热氧化生长稍有不同的是，没有了在SiO2中的扩散流 反应剂浓度对生长速率影响 G ∝ Y ∝Cg 温度的影响--两种极限情况 气流速率与温度对淀积速率的影响 Grove模型的指导作用和局限 质量输运控制CVD中，反应剂浓度的均匀性很重要；对温度的控制不必很严格。 表面化学反应控制CVD中，温度均匀性很重要；对反应剂浓度控制不必很严格。 在反应剂浓度较低时Grove模型和实测结果吻合得较好，浓度较高则不然。 忽略了反应产物的解吸、流速影响 忽略了温度梯度对气相物质输运的影响 6.2 CVD淀积系统 常压化学气相淀积（APCVD, Atmospheric pressure chemical vapor deposition ） 低压化学气相淀积（LPCVD, Low pressure chemical vapor deposition ） 等离子增强化学气相淀积（PECVD, Plasma enhanced chemical vapor deposition ） 金属有机物化学气相淀积（MOCVD, Metal-Organic chemical vapor deposition ） 激光诱导化学气相淀积（LCVD , Laser chemical vapor deposition ） 微波等离子体化学气相淀积（MWCVD, Microwave assisted chemical vapor deposition ） 6.2.1 CVD淀积系统设备 CVD源 气体输入管道及气体流量控制系统 反应室及反应激活装置（基座加热或其它引入反应激活能） 温度控制系统 减压系统 CVD的源 气态源：SiH4，NH3等----正被液态源取代 液态源：TEOS (正硅酸乙脂: Si(OC2H5)4 ) 送入方式： 冒泡法：用N2/H2/Ar携带； 加热法； 液态源直接注入 6.2.2 CVD反应室热源 CVD过程是在高于室温条件淀积的。 反应室侧壁温度保持在Tw，放置硅片的基座温度恒定Ts。 当Tw＝Ts，称热壁式CVD系统；----电阻加热法 Tw＜Ts称冷壁式CVD系统----电感或高频辐射灯加热； 即使在冷壁系统中，其侧壁温度也高于室温。 6.2.3 APCVD 操作简单，淀积速率较高，适于介质薄膜的淀积。 缺点：易于发生气相反应、产生微粒污染，台阶覆盖性和均匀性比较差。 APCVD由质量输运控制淀积速率，可精确控制在单位时间内到达每个硅片表面及同一表面不同位置的反应剂数量----薄膜均匀性 三种APCVD系统原理图 APCVD 反应剂和屏蔽气体N2同时从冷却喷嘴中注入，反应空间只有几毫米，可减少气相反应； 喷嘴、传送带以及基座需要经常清理 6.2.4 LPCVD Low PressureCVD 与APCVD相比增加了真空