la0.9sr0.1mno3si体系界面的电子显微学研究 transmission electron microscopy study of the la0.9sr0.1mno3si interface.pdfVIP

第26卷第4期 电 子 显微 学报 Vol一26．No．4 2007年8月 ofChineseElectron 2007—08 Jourml Society Microscopy 文章编号：1000—6281(2007)04．0298—04 体系界面的电子显微学研究 Lao．9Sr0．1Mn03／Si 成丽娜，马秀良” (中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室，辽宁沈阳110016) 摘要：本文利用透射电子显微术，研究了通过激光分子束外延方法在si基体上生长的‰。sro。Mn0，功能薄膜的 显微结构特征及界面处的微区成分分布规律。结果表明，在si基体上生长的k。sro，Mnq薄膜由单相多晶体构 nm～20 交点阵结构，其颗粒大小为lo nm。在LsM0／si的界面处发现了由化学反应引起的两个纳米尺度的非晶层。 关键词：IJa0。sr0．Mn0，薄膜；界面结构；成分分布 文献标识码：A 中圈分类号：0484．1；0766+．1；‘rGll5．2l+5．3 自20世纪90年代在具有钙钛矿结构的锰氧化 物尤其是薄膜中发现了庞磁电阻(cMR)效应以来，区成分分布进行研究。以期为理解该体系中薄膜的 由于这种特性可以广泛地应用于读写磁头、磁传感 生长机理提供原子尺度的结构信息，同时也为优化 器及磁记录等器件中，使得有半个世纪研究历史的 制备参数提供参考。 钙钛矿结构的锰氧化物再次成为研究热点¨。1。锰 1 实验方法 氧化物的cMR特性与很多因素有关，其中材料的晶 体结构起着很重要的作用，因为cMR取决于内在的 用于电子显微镜观察的薄膜样品有横截面和平 Mn原子层之间的磁性耦合以及受晶体结构(MnO。 面样品两类。制备横截面样品的步骤如下：首先，用 八面体畸变)制约的载流子之问的输运相互作用。 金刚石低速锯将沉积有薄膜的、尺寸为5mm×10 mm×3 所以，研究材料的结构特征及微观组织对理解材料 mm的基体材料切割成0．5 mm的小片。然 性能的物理本质有着很重要的意义。化学计量比的 后将两个小片的膜面与膜面用M—Bond610还氧树 LaMn0，在常温下是具有正交结构的反铁磁性绝缘脂对接粘贴，用夹具加紧并加热，直至完全粘牢。用 蜡将对接好的样品，沿接缝垂直于样品托表面的方 体，当掺杂ca，sr，Ba，Pb等二价阳离子时，将导致 向粘贴在样品托上，机械研磨直至厚～70牲m，用 绝缘体一金属即I—M(insulating．Metallic)转变，对晶体 的微观结构也产生很大影响。 Gatan微凹仪挖坑，最后用氩离子薄化器减薄。为减 si是目前使用最为普遍的一种半导体材料，在 小氩离子对样品的损伤以及使薄区尽可能大，先用 Si基体上外延生长具有重要应用前景的氧化物功能 较高电压4．5kv，入角射为17。，然后逐渐减小到3 薄膜材料，具有很大的实际意义。功能薄膜能否外 kv，入角射8。。平面样品的制备过程较为简单，它 延生长在某一基体上，存在着三个重要因素：(1)薄 免去了膜面与膜面对粘的环节，后续步骤与上述过 膜与基体之间晶格失配情况；(2)薄膜与基体之间是 程相似，且