lab6电子枪的kramers-heisenberg散射与fermi分布 kramers-heisenberg scattering and fermi distribution in lab6 electron gun.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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lab6电子枪的kramers-heisenberg散射与fermi分布 kramers-heisenberg scattering and fermi distribution in lab6 electron gun.pdf

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lab6电子枪的kramers-heisenberg散射与fermi分布 kramers-heisenberg scattering and fermi distribution in lab6 electron gun

光电子·撒光第18卷第4期2007年4月Journal V01．18 No．4Apr．2007 ofOptoelectronics·Laser ·光电子器件和系统· 尹明h”，逄明祥2 (1．山东大学控制学院电子束室，山东济南250061；2．山东科技大学信息与电气工程学院，山东青岛265510) 础，加速电压为30kV，通过双曲凹面加速器维纳尔(外敷碱土金属氧化物盖)使电子送达Si片靶心(置于光栏前)，讨论了维纳尔的电子轨迹与电子枪发射电子的Fermi分布，给出了测量LaB6电子枪分辨率的方法。与考虑了系统像差影响的理论计算结果进行比较，两者的最后结果基本一致。关键词：电子束；散射；近轴轨迹；失真；分布中图分类号：TN305．7文献标识码：A 文章编号：1005—0086(2007)04—0385—04 in andFermiDistributionElectronGun Kramers-Heisenberg LaK Scattering YIN Min91～，PANGMing-xian92 (1．Contr．Sci．and School LaboratoryJinan of Engineerin49ShandongUniversity，E-beam 250061，China；2．College and InformationandElectrical ofScience 265510，China) Engineering，ShandongUniversity Technology，Qingdao Abstract：InhB6electron andFermidistributionare ontheelectron gun，Kramers-Heisenbergscattering analyzeBased ofSD孓3electronbeam machine。whenthe is30kV。the thattheelectron gun lithography acceleratingvoltage requirements and distributionmustberealizedforconcave accelerator trajectoriespotential hyperboloidWehnelt(oxide-coatedcover)of arediscussed．E1ectronsfromthe willbeaccelerateda andreacha ofsilicon the gun by11ighvoltage target piece(Frontap— erture)viathe newmethodtomeasuretheresolutionof electronis measurement Wehnelt．Finally，a LaB6 gunreported．The resultsare thesametheoreticalcalculation．