p-ingan与niau的欧姆接触特性研究 research of the ohmic contact between p-ingan and niau.pdfVIP

第28卷第1期 固体电子学研究与进展 V01．28，No．1 2008年3月 OFSSE Mar．，2008 RESEARCHPROGRESS p-InGaN与Ni／Au的欧姆接触特性研究 林巧明”郭 霞 梁 庭 顾晓玲 郭 晶 沈光地 (北京工业大学光电子技术实验室，北京，100022) 2006—10—19收稿。2007-01-16收改穑 欧姆比接触电阻，通过分析认为这是由InGaN层的极化效应导致接触势垒降低和载流子隧穿几率增大造成的，但 同时受样品表面形貌和InN本身固有的积累电子层的特性影响，当InGaN层的厚度超过这一特定值后其接触特 性反而比P—GaN差， 关键词：铟镓氮；欧姆接触；环形传输线；极化 中图分类号：TN312+．8文献标识码：A 文章编号{1000—3819(2008)01—087—04 ResearchoftheO