pop型sic jbs二极管结构的改进与性能优化 optimization and improvement of pop sic jbs diode structure.pdfVIP

第33卷第5期 固体电子学研究与进展 V01．33，N。．5 2013年10月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Oct．’2013 于心产、o产。P。p、P。p日 1宽禁带半导体℃ 7k《fn{。_“_f“_。_《≈、墨 S— U____·_ POP型SiCJB 极管结构的改进与性能优化 信婉清 岳瑞峰” 张 莉 王 燕 (清华大学微电子所，北京，100084) 2013-0417收稿，2013-06—21收改稿 摘要：为了进一步提高SiCJBS的反向击穿特性和BFOM值，对POP型SiCJBS结构进行了重要改进。虽然 它们都是采用外延的方法在一个较窄的轻掺杂P阱上面再制作一个较宽的重掺杂P区，但是改进的结构在二者的 界面附近存在一段等宽区，即P阱的上半部分与重掺杂P区同宽，从而大幅度降低重掺杂P区的边缘电场集