p-si tft栅绝缘层用sin薄膜的研究 study of silicon nitride films as gate insulator layer for p-si thin film transistor.pdfVIP

TFT栅绝缘层用SIN薄膜的研究 p—SI 张化福1，祁康成2，袁玉珍1，刘汉法1，类成新1，魏功祥1 (1．山东理工大学物理与光电信息技术学院，山东淄博255049； 2．电子科技大学光电信息学院，成都610054) 在多晶硅(p．si)衬底上沉积了一系列siN薄膜，并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻．微电流计、 c-y测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相 对介电常数、电学性能及界面特性的影响。分析表明，沉积温度和射频功率主要是通过影响siN TFT栅绝缘层用siN薄膜方面具有重要的 薄膜中的si／N比影响薄膜的性能，在制备高质量的p．si 参考价值。 关键词：等离子体增强化学气相沉积；栅绝缘层；siN薄膜 中图分类号：0484．1；0484．5文献标识码：A InsIllatorfor