sio2掺杂低温烧结pmmns压电陶瓷的结构和性能 structures and properties of low temperature sintering sio2-doped pmmns piezoelectric ceramics.pdfVIP

第29卷第8期 电 子 元 件 与 材 料 、，01．29NO．8 2010年8月 ELECTRONICCOMPONENTSANDMATERlALS Aug．2010 SiC2掺杂低温烧结PMMNS压电陶瓷 的结构禾口-I生台皂 常鹏，刘彭义，祝 (暨南大学物理系，广东广州 压电陶瓷，探讨了不同si02掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响．结果表明：在烧结温度为980℃时，可 475，tan3=O．003762。 分数O．10％时，所得性能最佳：铲O．5l，西3=323pC／N，Qlm=l 8和er=I 关键词：压电陶瓷；PMMNS；低温烧结；机电性能 中图分类号：TM282文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2010)08．0014．04 Structuresan