原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第2章场效应管和其放大电路
§ 1.4 场效应管（Field Effect Transistor）;N沟道;1、结型场效应管（JFET)结构;结型场效应管（JFET)符号;① VGS对沟道的控制作用（VDS=0）——等宽;当VGS=C时，VDS? ? ID ?; 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型管。;(2)转移特性 transfer characteristics ;结型场效应管;1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。;MOS场效应管;一、N沟道增强型MOS场效应管结构;当VGS= UGS(th)时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成ID。;漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用;当VDS增加到使VGD=UGS(th)时，;iD=f(vGS)?vDS=C ;一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构; 当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流iD。
当VGS＞0时,将使iD进一步增加。
当VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0，对应iD=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示。;输出特性曲线;绝缘栅场效应管;绝缘栅场效应管;2. 夹断电压UGS(off) ：是耗尽型FET的参数，当VGS=UGS(off)时,漏极电流为零。;7. 低频跨导gm ：低频跨导反映了栅源压对漏极电流的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。;各种场效应管的符号对比;各种场效应管的符号对比;图 场效应管的符号及特性P49;1.4.4 场效应管与晶体管三极管的比较;1.6 集成电路中的元件——P60
集成电路（IC）：制造工艺、许多元件、同一块
半导体基片上，封装。具有完整功能;复合管：（1）各管的电流方向不矛盾、工作在放大区 P123 （2）β=β1β2 （3）等效管子的类型与第一只管子的类型相同;P144 2.18;2.7.1 场效应管的三种接法
共源放大电路——***
共漏放大电路——***
共栅放大电路
;2.7.2 场效应管放大电路的静态设置; 图 场效应管偏置方式
(a)自偏压方式； (b)分压式偏置方式 ;解析法;VDD=20V;场效应管的微变等效电路;很大，
可忽略。;uo;s;uo;Ri;输入电阻 Ri;输出电阻 Ro;(1) 场效应管放大器输入电阻很大。
(2) 场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。
(3) 场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。;不要求
文档评论（0）