高功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度 temperature in micro-channel heat sink of high power semiconductor laser array.pdfVIP

第 37 卷第 1 期 光电工程 Vol.37, No.1 2010 年 1 月 Opto-Electronic Engineering Jan, 2010 文章编号：1003-501X(2010)01-0106-04 高功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度 a b a b 孙 梅 ，苏 周 ，王景芹 ，赵红东 ( 河北工业大学 a. 研究生学院; b. 信息工程学院, 天津 300401 ) 摘要：微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径，本文利用有限元方法研究半导体激光器的温 度，给出了横向尺寸为 200 μm×60 μm 单个及间距 100 μm 的 3 ，5 ，9 的微通道热沉中的温度，得到微通道数量影 响激光器最高温度变化。结果表明，单个微通道构成的热沉可以把注入电流为 36 A 稳态工作的激光器阵列冷却到 342 K ，9 个微通道可以冷却到 306 K。仿真了增加微通道间距的温度分布，发现为间距 260 μm 的 5 个微通道热沉， 可以将激光器冷却到 308 K。 关键词：高功率激光器阵列；微通道；温度；有限元法；激光器 中图分类号：O472.2 文献标志码：A doi：10.3969/j.issn.1003-501X.2010.01.19 Temperature in Micro-channel Heat Sink of High Power Semiconductor Laser Array a b a b SUN Mei ，SU Zhou ，WANG Jing-qin ，ZHAO Hong-dong ( a. College of Graduate Student; b. School of Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, China ) Abstract : The micro-channel heat sink is an effective way to solve the heat removal problem in high power semiconductor laser array. The temperature in a high power semiconductor laser is analyzed by the finite element method. The temperature is obtained in a single and 3, 5, 9 micro-channels heat sinks with the space of 100 μm and transverse size 200μm×60μm. The effect of number of micro-channels on maximum temperature is presented. The result shows that the temperature in the semiconductor lasers in 36 A injected current stable operation can be cooled down to 306 K by t