高功率中红外半导体碟形激光器的进展 recent developments in high-power, short-wave mid-infrared semiconductor disk lasers.pdfVIP

光机 电信 息 第27卷 第 8期 OME Information Vol.27 No.8 高功率中红外半导体碟形激光器的进展 摘要 ： 短波长高性能激光器用途广泛 ， 包括中红外光谱范围在 1.9～2.5 μ m 的远距离通信、 大气遥感、 大气污染检测 。 然而 ， 满足该性能特点的简洁高效的激光光源尚未利用 。 在过去几年 ， 主要的进展 集中在发展光泵浦 （AlGaIn ） （AsSb ） 量子阱半导体碟形激光器上 ， 发射波长为 2.x μ m 的中红外谱 区， 连续输出功率超过 6 W ，脉冲功率超过 16 W。 此外 ，单频工作线宽＜4 MHz ，调谐宽度高达 170 nm ， 光束质量接近衍射极限 。 这些优异的性能只有通过高质量的外延生长 、 合理的器件设计 、 高效的热 处理才能得以实现 。 最近几年 ， 各种各样的器件被相继报道 ， 输出功率 1 引 言 为几瓦 （10 W ）， 单频 、 锁模工作 ， 通过开发化合 在过去 10 年 ， 半导体碟形激光器 （SDLs） 取得 物半导体材料和非线性转化技术 ， 波长范围进一步 了巨大进展 ， 这些器件被视为一类独特的半导体激光 (a) SDL chip 器 ， 具有广泛的应用潜力 。 本文介绍了短波长中红外 Output coupler 半导体碟形激光器的设计和性能 ， 工作范围从高功率 到稳定的单频工作方式与脉冲泵浦工作方式 ， 再到普 Output 通的泵浦源 ， 都一一做了介绍 。 Heatsink Pump diode Coupling optics 2 半导体碟形激光器 光泵浦半导体碟形激光器通常被称 为垂直外腔 100 (b) frequency doubled Thinned device 面发射激光器 。 如图 （ ） 所示 ， 光泵浦半导体碟形 Heatspreader 1 a 10 激光器有两个镜面腔结构 ， 该结构可追溯到 1977 年