氟基等离子体处理对高al组分algan肖特基接触反向漏电的改善 improvement on leakage current for high al-content algan schottky diode by fluoride-based plasma treatment.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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氟基等离子体处理对高al组分algan肖特基接触反向漏电的改善 improvement on leakage current for high al-content algan schottky diode by fluoride-based plasma treatment.pdf

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氟基等离子体处理对高al组分algan肖特基接触反向漏电的改善 improvement on leakage current for high al-content algan schottky diode by fluoride-based plasma treatment

SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS VO1．33No．5 Oct．2012 氟基等离子体处理对高Al组分AIGaN 肖特基接触反向漏电的改善赵胜，秦志新，刘芳，卢励吾，王新强，沈波，张国义 (北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室，北京 100871) 摘要：在沉积肖特基金属之前，对非掺的Al Ga。．sN采用了不同时间的氟基等离子体处理，其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处理的样品相比，经过处理的Al。．Ga。，N 肖特基二极管在反向一1OV的漏电流密度随处理时间的增加而减少，其中处理 1min的样品的漏电流密度减少了5个数量级。x射线光电子谱分析证明了处理过的样品表面Ga—F和Al—F键的形成。反向漏电的减少可能是由氟基等离子体处理耗尽了电子和有效钝化了表面态导致的。关键词：高Al组分 AlGaN；肖特基接触；氟基等离子体；漏电流；表面态中图分类号：TN304．23 文献标识码：A 文章编号：1001—5868(20l2)05—0672—04 ImprovementonLeakageCurrentforHighAI—contentAIGaNSchottky DiodebyFluoride-basedPlasmaTreatment ‘ ZHAO Sheng，QIN Zhixin，LIU Fang，LU Liwu，WANG Xinqiang，SHEN Bo，ZHANG Guoyi (StateKeyLaboratoryofArtificialMicrostructureandMesoscopicPhysics，SchoolofPhysics， PekingUniversity。Beijing100871，CHN) ‘ Abstract： Fluoride-basedplasmatreatmentwasusedpriortotheSchottkyevaporation on theundopedA1o Gao N ，inwhich theA1contentcorrespondedtothesolar-blindwavelength．． 45 ． 55 ComparedwiththesamplewithoutF—treatment，thereverseleakagecurrentdensityat一 10V of A10 Ga0 N Schottkydiodesdecreased with increasing treatmenttime．Theleakagecurrent ． 45 ． 55 densityofthesamplewith F-treatmentfor1minwasreduced by 5ordersofmagnitude．The formationofGa—-F bondandA1—-F bondaftertreatmentwasconfirmedbyX-rayphotoemission spectroscopy (XPS)．Thereductionofleakagecurrentwasattributedtothedepletionofelectron andthepassivationofsurfacestatesbyfluoride-basedplasmatreatment． Keywords： high-A1contentAIGaN ；Schottkycontact；fluoride—basedplasmatreatment； leakagecurrent；surfacestate ． O 引言带宽带从 3．4eV增到 6．2eV(对应 365～2Oonm的