辐照对pdsoi rf mos体接触结构器件性能的影响 study on the total ionizing dose radiation effect of pdsoi rf mos device with different body contact structures.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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辐照对pdsoi rf mos体接触结构器件性能的影响 study on the total ionizing dose radiation effect of pdsoi rf mos device with different body contact structures.pdf

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辐照对pdsoi rf mos体接触结构器件性能的影响 study on the total ionizing dose radiation effect of pdsoi rf mos device with different body contact structures

器件制造与应冈 ofDevice andApplication ：f：：：：：：：：：=：：：：：：：：：：：：：：：：：：=：：：：：：：：：：：：：：：：：：：：：：M如llf如嘶ng doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2010．09．002 RF 辐照对PDSOlMOS体接触结构器件性能的影响刘梦新，刘刚，韩郑生 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：基于抗辐照加固0．35 PDSOICMOS工艺制作了RFNMOS器件，研究了电离总剂量 ttm 辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静态工作模式下，分别考虑了辐照对器件转移特性、泄漏电流、跨导及输出特性的影响；在其交流工作模式下，分别考虑了辐照对其交流小信号电流增益、最大有效／稳定增益、截止频率和最高震荡频率的影响。试验结果表明，与同类非加固工艺器件相比，此种PDSOIRFNMOS抗辐照性能更好，其中以LBBC和LTS型体接触器件受电离总剂量辐照影响最小，并且可获得截止频率22．39GHz和最高振荡频率29．19GHz。关键词：部分耗尽；绝缘体上硅；电离总剂量辐照；射频；增益中图分类号：TN385文献标识码：A 文章编号：1003．353X(20lo)09—0863．05 ontheTotal DoseRadiationEffectofPDSOIRFMOS Study Ionizing DevicewithDifferentContact Body Structures Liu Mengxin，“u Gang，HanZhengsheng (Institute ofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China) Abstract：Basedonthe ofirradiationhardened0．35 PDSOICMOS PDSOI platform pm technology，the RFNMOSwas effectsoftotal doseradiationonDCand RF implemented．The ionizing small-signal oftheNMOSFETswith structureswere and the differentdevice characterized performance comparedusing transfer and characteristicsto assessDC characteristics，off-stateleakage，transconductance output