高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证 dc-ac models and verification of high-frequency hbt.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证 dc-ac models and verification of high-frequency hbt.pdf

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高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证 dc-ac models and verification of high-frequency hbt

第34卷第2期电子器件 V01．34No．2 ChineseJournalofElectronDevices 201 1年4月 Apr．2011 DC-ACModelsandVerificationof HBT+ High—Frequency GAO Yao+ Jinming，LI and (DepartmentofPhysics，MieroelectronicsLaboratory。UniversityofScienceTechnologyofChina，Ⅳ积230026．China) Abstract：Basedondrift—diffusionand balance SiGeHBTDCandACmodelwas equationenergy equation，a mitter effectandtherecombination established．In saturation and addition，thevelocity effect，base bandgapnarrowing effectare and SiGeHBT resultswere included．Finally，thetheorymesa—type experiment compared，thecut-frequency with results． iS10．5 currentiSabout theoreticalresultsareconsistent GHz，the gain 45，the experiment words：SiGe Diffusion Key HBT；DDM(DriftMode)；BTM(BohzmannModel)；electron saturationeffect effect；velocity EEACC：6560J doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2011．02．004 高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证冰高金明，李壶+ (中国科技大学微电子实验室，合肥230026) 摘要：针对漂移扩散方程和能量平衡方程的解建立了SiGeHBT的直流和交流理论模型，综合考虑了速度饱和效应、基区和发射区的禁带变窄效应和复合效应，并与台面型SiGeHBT实验结果进行了比较，截止频率为10．5GHz，电流增益为45．与理论结果基本符合。关键词：SiGeHBT；漂移扩散模型；波尔兹曼模型；电子温度；复合效应；速度饱和效应中图分类号：TN321 文献标识码：A 文章编号：1005—9490(2011)02—0132—05 随着半导体器件结构与工艺技术的不断革新，效应的基区电流、电流增益和基区渡越时间的表 1987年IBM公司首次制作出SiGe基区异质结双极达式，并与漂移扩散模型进行比较，与实验获得的数晶体管(SiGe 据进行了比较。 HBT)。SiGeHBT与传统的si基区晶体管相比，具有许多更加优良的特性…，主要原因