高速npn锗硅异质结双极晶体管的设计与制作 design and fabrication of high speed npn sige heterojunction bipolar transistor.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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高速npn锗硅异质结双极晶体管的设计与制作 design and fabrication of high speed npn sige heterojunction bipolar transistor.pdf

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高速npn锗硅异质结双极晶体管的设计与制作 design and fabrication of high speed npn sige heterojunction bipolar transistor

第32卷第5期固体电子学研究与进展 V01．32，No．5 2012年10月 RESEARCH＆PROGRESS0FSSE oct．，2012 彳、—＼p—喀p、p、≯h08吣冬射频与微波≮ 崎、—、—s、d“啐蓐、—“毋。高速NPN锗硅异质结双极晶体管的设计与制作+ 钱文生” 刘冬华陈帆陈雄斌石晶段文婷胡君黄景丰 (上海华虹NEC电子有限公司，上海，201206) 2012一03—28收稿，2012一04—26收改稿摘要：报告了o．18 pm高速N型锗硅异质结双极晶体管(siGeHBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性，其截止频率为110GHz，击穿电压为1．8V，电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件特性的影响，并给出最优化的工艺条件。关键词：高速；锗硅异质结双极晶体管；截止频率中图分类号：TN433；TN322+．8；TM743文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2012)05一0467一05 andFabricationof NPNSiGe Design HighSpeed unction Transistor Heteroj Bipolar Fan QIAN LIU CHENCHEN SHI WenshengDonghua XiongbingJing DUAN HU HUANG Jun Wenting Jingfeng (日“娃日。行gⅣ蔓℃E缸cfr。挖；c5 G。打z户口村，￡砌娩蠢，S矗口行g矗耐，201206，C日Ⅳ) thedevicestructureandfabricationof Abstract：Thepaperpresents process0．18弘mhigh SiGeHBT．TheDCandRF characteristicsofSiGeHBTare with 1O speed analyzed Ft一1 typical Vand ofdifferent GHz，BVcEz一1．8 conditionsonSiGeHBT J9=270．Theimpact process perfo卜 manceis the of SiGeCbaseand collector，EPI investigated，includingdopingimplanted