硅基MEMS加工技术和其标准工艺研究.pdfVIP

第 11 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 30 　No . 11 　2002 年 11 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Nov . 　2002 　 硅基 MEMS 加工技术及其标准工艺研究 王阳元 ,武国英 ,郝一龙 ,张大成 , 肖志雄 ,李 　婷 ,张国炳 ,张锦文 (北京大学微电子研究院 ,北京 100871) 　　摘 　要 : 　本文论述了硅基 MEMS 标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺. 深入地研 究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术. 体硅工艺主要进行了以下研究 :硅/ 硅键合 、硅/ 镍/ 硅键合 、硅/ 玻璃键 合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺 、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag 效应 ;开发了复合掩膜高 深宽比多层硅台阶刻蚀