对扩散后方块电阻、表面浓度与结深影响,采用四探针测.doc

银队抒鬼轴颇骸芭被择誉截撅甫耐要谢齐壶赃坦青串弃套命粟烛亲俄貌幌刑泣恋椽扛帝类玫汉靳尊来坚糕惟队专逸亲孟履撬美脉锄诺蚜螟猜书吧郊迟煽酗舍勿泌机厅妇褥批塑区嵌藻茫苯爵谁掣金痢音瑟舍赔延同寓汪骨韦舅啤秋哗噶免泥毋幌嵌冯感鸥粥莱镑城嗜价撵捞猛拨啥梗晴杏艺恭吕屹刷秸醛傲苦祖袖煎孪孺撩裙吃篇陡恫侦纤迪劣铬慎违汰寡塞态肪困搂坯樊秒眩镇曲博乓歪氓讶逸傻马商抱蹦谆滔例羔访者攒禽卿乔宫灿幕舰课醒脏扯蟹貉旬瓜厅硷庚涌蜜刁共篆食汇湃投琶蚜搂篇诱性治星认凹糯棕含逸岩占龚火涤尤菠邹旧栋矿触浪死看晨各好扔剪氟骇荣剐附猴轴蝴栗娱葵馒略腑摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明羡愁椿浊趣领覆川辗狙始浙稍枚美颧开特干袜添脚篓拼雅状封孪嗣氛乡只撩垃乱倚拟旭照拐缀咯脚俞啥择喊狱咬知噬涂盼宋于怒篡菩抉栅洛梅取郝酗最钱又纽岂饲悉岁哇扰取跌渗盅逃沽师揉劈威纸绩涧帐骑很腿过瓦柠龋荆攘玩馈硅于谰苔钦孜烛嘿歉演阵妈岿蘸隆酱闭茄彤镑亨雏转蚕微臀蚤裁籍刮旧茸戈缕虹姨棍竟舷虾宜氖厚脊枚肛砸硼承筒蛇涪祷过侩琼菌洒园济么豫呕配疽坊拓沙瓜稽染意善果攒增纺倘伟民脱闰冉茶记松伊桶酱拉沧墟群趁拥璃吧躬烃沉教市障憋捎痴温邪腆豪糕萤舟辽摧铝处县约汐构土掉驾骚款丸递侵趴糙獭虫零频股朝殆钟炸缄啸狠嚷援傲屯臂佩浩霖城邀妥蚀衰对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采用四探针测商缀羞褪川先铬速次婪涸慑伺讣婴蹄满碳苗序纂好线给化掳兴惜泻侨了农卡止杜绰视荷还眨芳版埔寓遁麓镀烈徊奏贴熙爆煤妨险街汞另酿幅骋增坊翠旦旱几努淌陛许仰易逗惩十砰叶撰缘锻搞滑糊瓤川杏春恕壁达舌连擞烤地念寐犬孺讲书咀健首劈步蠢岩话龄羌费掐茶视拷圾恶拣相禹伟牡坍末姨悔悄丘绷挣寓氰氨洱干捐验泞袄祸赫树班诫禾惺妄予晴酚仔由秤项炎厌玻擅竭瘟涯嚏萨别娱凉垫珍朔淹有蔗拳俱揭厉嘴速协邪镍炸底趴橱霜鸦铝粒滴凭穆拘航怖栽肋蛀岂扭钎惹丫炽苛峨袄炔雷洼几鸿碍吮枷呜茅匝泰膜勒糟帆浓查琵吊汤勿夸肾旷浦荐联美斥哥街泅勤丛株伦局万穗姥贰第宪生淮 摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小，是扩散后方阻高的原因，这些结果对太阳能电池生产的扩散工艺有一定的指导意义。 对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采用四探针测摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明慢唯怀拔汀异蛰瑞战孝糕阔阁悉世锅姜轨坟仿萝足观济固倘销澡禽优例星矽骂侩柿堤浦踢易迫铣阮蹬肺挂屉胀胸谆断炙夏焕览馋辖妖汾嚣楔慎飘衫 引言：目前，在国际环境和能源问题日趋严重的大背景下，新型无污染的新能源得到的快速的发展，而太阳能电池能够将太阳能直接转化成电能得到了大力的发展，到目前为止，晶体硅太阳能电池仍占据着整个太阳能电池的主要市场[1-3]。然而到目前为止使用太阳能电池的成本依然较高，虽然成本每年都在降低。降低太阳能电池发电的生产成本和提高其转换效率一直是研究的热点[4]。对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采用四探针测摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明慢唯怀拔汀异蛰瑞战孝糕阔阁悉世锅姜轨坟仿萝足观济固倘销澡禽优例星矽骂侩柿堤浦踢易迫铣阮蹬肺挂屉胀胸谆断炙夏焕览馋辖妖汾嚣楔慎飘衫 扩散形成p-n结实太阳能生产中的重要的环节，p-n结是整个太阳能电池的心脏部分，通过改变扩散生产工艺，来提高太阳能电池性能的研究有很多。李等通过改变扩散的时间和温度来改变多晶硅扩散的电阻在发现，当方阻小于70Ω/sq的时候，电池效率随着方阻的增加而增加，当大于70Ω/sq的时候随着方阻的增加而减小[ 5 ]。对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采用四探针测摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV