tft厂 ic厂 晶圆厂 面板厂 电子厂房制程 工艺制程简述.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电子厂制程 0.电子厂名言 0.电子厂名言 唯一的不变就是永远在变 唯一确定的就是还没决定 所以~接下来介绍的在现场都不是绝对的~ 1.半导体与TFT制程差异 1.1半导体制程(区域) WS/WR 晶圆初始化 ZERO 底层作业 Thin Film 薄膜镀层 Photo 光罩感光 Etch 干湿蚀刻 Implant 离子植入 Diffusion 热处理/扩散 Metrology 检视量测 CMP 平坦化 WAT 电信检测 OQA 出厂包装 Tube Clean Quartz清洁 Part Clean 另件清洁 LAB(QA/IQC) 各实验室 (Ball Room-Array制程) (Start) (Final) (辅助制程) 1.2 TFT制程 玻璃基板 Thin Film 薄膜镀层 Photo 光罩感光 Etch 干/湿蚀刻 Cleaner 清洁作业 Color Filter 滤光片并入 (Array制程-导电玻璃蚀刻) Cleaner 清洁作业 Cut 基板切割 Cell 液晶注入 Inspection 检查量测 (Cell制程-并片/切割/注入) 背光模块 出厂 驱动IC (Module制程-成型) (Start) (Final) Polarizing Film 偏光板黏贴 Inspection 检查量测 组立成型 1.3 IC与TFT制程差异 1.Ball Room(T/F,Photo,Etch)区域 3层式结构(1F非无尘室) 2.Support(Dif,Imp)2层,其余单层 无尘室 项目 IC TFT 1.以Array,Cell,Module区分独立 2.各区有SubFAB空间 3.较少采用格子梁设计 1.仅Array制程与TFT相同但较复杂 2.有相当多Array支援制程 3.机台较小,但变动较大(指移机) 4.较精密,RC基座多,量测机台多 制程 1.Array制程较IC简单(Mask较少) 2.较IC多Cell及Module制程 3.机台较大型,尤其Cell机台 4.Cell区机台需求变动大 1.采Cassette轨道车+Storage 2.以Load Port整Cassette进料 3.运送轨道在无尘室架空(天花板) 自动化 1.采自动车+Buffer系统 2.以Load/Unload进料 3.以自走车在地板运送 1.Take-Off以模块配置,布满整厂 2.大管径风管Header配置于1F 3.特气及化学品种类较多 厂务需求 1.Take-Off依Matrix配置 2.厂务Submain大多配置于SubFAB 3.特气及化学品种类较少 1.相同:T/F,Photo,Etch 2.相异:WS/R,Zero,Metrology,CMP Diffusion,Implant,WAT,OQA 区域 1.相同:T/F,Photo,Etch 2.相异:Cell,Module 3.Buffer占用相当大动线空间 2.半导体制程概述 2.1楼层概述 1.为制程主机台楼层或Process层 2.分Ball Room(3层)/Support(2层) 3.须穿无尘服/自动轨道车配置于天花板 3F 项目 说明 1.为附属机台楼层或叫Clean SubFAB层 2.摆设真空泵/变压器/Scrubber等 3.须穿无尘服/一次侧管线配置于天花板 2F 1.为附属机台楼层或叫Dirty SubFAB层 2.仅Ball Room有1F/摆设真空泵/Scrubber等 3.不须穿无尘服/一次侧管线配置于天花板 1F Note:所谓Ball Room概指Thin Film/Photo/Etch等3个主要制程区域,实为 一循环制程:T/F→(PR Coating)→Photo→Etch→(PR Strip)→T/F ※ PR意指「光阻剂」 2.2前期制程 1.即Wafer Start Wafer Recycle 2.自中德/小松等长晶厂进基板晶圆 3.清洁/检查/方向标记 WS/WR 长第1层基底层 Zero 1.即化学气相沉积法(PE-CVD/W-CVD等) 2.在高温/电浆下作业 3.须使用到「特殊气体」参与反应 CVD A.Thin Film制程-(主要功能在晶圆表面镀层) 1.即物理气相沉积法 2.蒸镀-钨极加热/电子枪,溅镀-正离子 3.在高温/电浆/电场/离子态下作业 PVD 项目 说明 1.为一制程环境空间 2.代表机台如Endura/Producer等 3.常须连接Pump Line高真空系统 Chamber 2.3 Array制程-(Ball Room一般为3层式