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第七章 半导体存储器 7.1 概述（无图） 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.6 串行存储器 7.2 只读存储器（ROM） 图7.2.1 ROM的电路结构框图 图7.2.2 二极管ROM的电路结构图 图7.2.3 用MOS管构成的存储矩阵 图7.2.4 熔丝型PROM的存储单元 图7.2.5 PROM的结构原理图 图7.2.6 FAMOS管的结构和符号 图7.2.7 使用FAMOS管的存储单元 图7.2.8 SIMOS管的结构和符号 图7.2.9 使用SIMOS管的256 ? 1位EPROM 图7.2.10 Flotox管的结构和符号 图7.2.11 E2 PROM的存储单元 图7.2.12 E2 PROM存储单元的三种工作状态（a）读出状态（b）擦除（写1）状态（c）写入（写0）状态 图7.2.13 快闪存储器中的叠栅MOS管 图7.2.14 快闪存储器的存储单元 图7.2.1 ROM的电路结构框图 图7.2.2 二极管ROM的电路结构图 图7.2.3 用MOS管构成的存储矩阵 图7.2.4 熔丝型PROM的存储单元 图7.2.5 PROM管的结构原理图 图7.2.7 使用FAMOS管的存储单元 图7.2.8 SIMOS管的结构和符号 图7.2.9 使用SIMOS管的256 ? 1位EPROM 图7.2.10 Flotox管的结构和符号 图7.2.11 E2 PROM的存储单元 图7.2.12 E2 PROM存储单元的三种工作状态（a）读出状态 （b）擦除（写1）状态 （c）写入（写0）状态 图7.2.13 快闪存储器中的叠栅MOS管 图7.2.14 快闪存储器的存储单元 7.3 随机存储器（RAM） 图7.3.1 SRAM的结构框图 图7.3.2 1024x4位RAM（2114）的结构框图 图7.3.3 六管NMOS静态存储单元 图7.3.4 六管CMOS静态存储单元 图7.3.5 双极型RAM 的静态存储单元 图7.3.6 四管动态MOS存储单元 图7.3.7 三管动态MOS存储单元 图7.3.8 单管动态MOS存储单元 图7.3.9 DRAM中的灵敏恢复/读出放大器 图7.3.10 灵敏恢复/读出放大器的读出过程（a）读出0的情况（b）读出1的情况 图7.3.11 DRAM的总体结构框图 图7.3.1 SRAM的结构框图 图7.3.2 1024 ? 4位RAM（2114）的结构框图 图7.3.3 六管NMOS静态存储单元 图7.3.4 六管CMOS静态存储单元 图7.3.7 三管动态MOS存储单元 图7.3.8 单管动态MOS存储单元 图7.3.9 DRAM中的灵敏恢复/读出放大器 图7.3.10 灵敏恢复/读出放大器的读出过程 （a）读出0的情况 （b）读出1的情况 图7.3.11 DRAM的总体结构框图 7.4 存储器容量的扩展 图7.4.1 RAM的位扩展接法 图7.4.2 RAM的字扩展接法 图7.4.1 RAM的位扩展接法 图7.4.2 RAM的字扩展接法 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 图7.5.1 例7.5.1的电路 图7.5.2 例7.5.2的ROM点阵图 图7.5.1 例7.5.1的电路 7.6 串行存储器 图7.6.1 用静态移位寄存器组成的串行存储器 图7.6.2 后进先出型串行存储器的结构框图 图7.6.3 串、并联结构的先进先出型串行存储器 图7.6.4 有比型动态MOS反相器 图7.6.5 两相有比型动态MOS移位寄存单元（a）电路结构（b）工作波形 图7.6.6 无比型动态MOS反相器 图7.6.7 两相无比型动态MOS移位寄存单元（a）电路结构（b）工作波形 图7.6.8 改进的两相无比型动态MOS移位寄存单元（ a）电路结构（b）工作波形 图7.6.9 动态CMOS移位寄存单元（ a）电路结构（b）工作波形 图7.6.1 用静态移位寄存器组成的串行存储器 图7.6.2 后进先出型串行存储器的结构框图 图7.6.3 串、并联结构的先进先出型串行存储器 图7.6.4 有比型动态MOS反相器 图7.6.5 两相有比型动态MOS移位寄存单元（a）电路结构（b）工作波形 图7.6.6 无比型动态MOS反相器 图7.6.8 改进的两相无比型动态MOS移位寄存单元（ a）电路结构（