基于xef2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导 low-loss cpw based on low-resistance si substrate with xef2 dry-etching process.pdfVIP

第32卷 第5期 固体电子学研究与进展 V01．32，No．5 2012年10月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE 0ct．，2012 基于XeF2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导+ 刘米丰1’2” 熊 斌1 徐德辉1 王跃林1 (1中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室，微系统技术重点实验室，上海，200050) (2中国科学院研究生院，北京，100049) 2012—04一04收稿，2012一05—18收改稿 摘要：在低阻硅(1～10Q·cm)衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2mm、结构尺寸为谢^一40／ 60m间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通 过WYK0三维形貌观察得到两种结构共面波导悬浮信号线最大翘曲量分别为10弘m和16肛m。微波性能测试结 果表明两种悬浮结构共面波导在1～10GHz频率范围内插入损耗分别低于4．5dB