1 000 v vdmos的优化设计研究 studying of the optimal design of 1 000 v vdmos.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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1 000 v vdmos的优化设计研究 studying of the optimal design of 1 000 v vdmos

第30卷第3期电子器’件 V01．30No．3 2007年6月 ChineseJounlal0fElectronDe啊ces Jun．2007 ofthe of1000VVDMoS StudyingoptimalDesign 暇』、^G Ji口一以i以g，SL7N’_名i一／0咒g (N口￡io竹ⅡZASJC 2l0096，(’^f撇) Sy5t聊2EkginPP一行gRPs阳砌＆竹}Pr，So“琥阳sfUhi雠r“缈，Nn可i行g find 1 000 resis— main isto amethodof VⅥ)M()S Abst僦t：The optilllallydesigning Throughanalyzing purpose character torandbreakdownmodelsofⅥ)ⅣI()S，thernain influenced洲cestatistic voltage parametersthat蚴inly of whichaims havebeen and of simulation found，suchas印iresisti访tythickness，lengthpoly，d印thp．bOdy．By cites atthe above，the 1000Vde访ceisobtained．This Rat—BW parameters optimallydesig血19 paper parameter whichhastheSa邛leresultasexhaustivemethodandmakesthe easierand The de一 Rdss process prCIHlpter．optirn_al 访ce’scharacterisBV=1080 resis协ce一3．41876E4mQ·删m2． V，special words：VDMOS；breakdown Key voltage；specialresistance；optimaldesign EEACC：2570F 1000VVDMoS的优化设计研究王佳宁，孙伟锋 (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京210096) 摘要：主要是寻找一种优化设计1000 到影响器件静态特性的主要参数：外延电阻率及厚度、栅的长度、p-body结深．针对以上主要参量的模拟，最终达到优化设计1 000 v的器件．通过用R。。一BVr／Rb来衡量优化程度，可以得到用穷举法模拟的相同结果并且模拟更简便、快捷．最终得到耐 76E4 压1080V，特征导通电阻为3．418 mQ·mm2的优化