6h-sic异质结源漏mosfet的模拟仿真研究 simulation study of 6h-sic heterojuntion sourcedrain mosfet.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.13万字
约 4页
2017-08-21 发布于上海
举报
版权申诉

6h-sic异质结源漏mosfet的模拟仿真研究 simulation study of 6h-sic heterojuntion sourcedrain mosfet.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

6h-sic异质结源漏mosfet的模拟仿真研究 simulation study of 6h-sic heterojuntion sourcedrain mosfet

第29卷第4期电子器件 V01．29No．4 2006年12月 olhle∞JoIlr∞lⅨEIectmnDevic∞ Dec．2006 Simulationof6H_SiC MoSFET Source／Drain Study Heteroj肌tion ZHANG L锄，ZHANGⅥ咖Pn，ZHA小临l’朋2i咒g，TANGXi口。叫口咒 (Microeze∞∞扎if5h盯i纽tP，K掣L曲o，M；”纽叫Ed“∞ti伽o，W弘eB口，d＆夕S肼出。材l‘cfor^缸￡er妇厶，Xi’nn710071，Chi抛) novelSiCmetal_o)【ide—semiconductorfield—effecttransistorwith unctionsourceanddrain Abstract：A heteroi is Thisdevice fabrication of for the of presented． gives advantagessimpleprocess sidewall，avoidingsteps ion and at Also，itwillnotcausethe of annealinghigh implantation temperature． problemscrystaldamage causedion andlowactivationrateof atoms．SimulationresultswithISETCAD by implantation implanted showthatithasanexcellent and on—statescurrent．The mechanismofthis perfomancehigh operational deviceis andtheeffectsofdifferentstructureonthedevice arediscussed． analyzed perfomance Keywords：siliconcarbide；heterojunction；MOSFET；polysilicon EEACC：7280；7330；7340S；7220 张林，张义门，张玉明，汤晓燕 (西安电子科技大学微电子研究所，教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安，710071) 摘要：给出了一种新型sic 规sicM0sFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题，而且具有性能优良，开态电流大，侧墙工艺简单的特点。文中分器件结构和工艺参数的关系。关键词：碳化硅；异质结接触；MasF盯；多晶硅中图分类号：耶屺86．3 文献标识码：A MOs- 碳化硅作为一种新型的半导体材料，由于具有能通过离子注入的方法进行掺杂形成SiC 宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和 FET的源漏区。而SiC的离子注入的工艺难度较漂移速度的特点，在高温、高频、大功率及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力．MOSFET是集成电