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低功耗cmos射频低噪声放大器的设计 design of low-power cmos rf low noise amplifier
No．1
第32卷第1期 电子器件 V01．32
Of
2009年2月 Chine∞JournalElectron晰嘲 Feb．2009
of RFLow
Low-PowerCMOS Noise
Design Amplifier|
WU Hui—bin’，HUANG
Jian-feng，QIN Hai-yun，ZHENGLiang
(InstituteNewElectron Dianzi
of Devices，HangzhouUniversity。Hangzhou310018，China)
been
Abstract：A2．1GHzlownoise foruseinwirelesscommunicationreceiver，has
amplifier(LNA)intended
in dBwitha
CharteredCMOS aforward 21．63
implemented 0．25／an process．Theamplifierprovides gain(s21)of
noise of 2．1 rrlwfroma V theLNAcircuit
figure dB，while 12．5 2．5 detailed of
only drawing supply．A analysis
is inthe noise is2．1dBand1dB 1dBnl．Theareais
presentedpaper，the pointis一19．054
figure compress chip
mmX
O．8 0．6rnllkThetestresultsreachthe andshow consistence．
designspecifications
good
words：RF noise
Key integratedcircuits；lowamplifier；noisefigure；linearity
EEAoC：2570D；1220
低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计*
吴建锋，秦会斌。，黄海云，郑 梁
(杭州电子科技大学新型电子器件研究所，杭州310018)
摘 0．25 CMOS工
要：介绍了一个针对无线通讯应用的2．1GHz低噪声放大器(LNA)的设计。该电路采用CharteredV-m
艺，电源电压为2．5V，设计中使用了多个电感，详述了设计过程并给出了优化仿真结果。模拟结果显示，该电路能提供21．63
d
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