快速稳定的cmos电荷泵电路的设计 a fast-settling cmos charge pump.pdfVIP

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快速稳定的cmos电荷泵电路的设计 a fast-settling cmos charge pump

No.5 第31卷第5期 电子器件 V01.31 2008年10月鼬艘J衄删饼融呦酬嘲 Oct.2008 A CMOS Pump Fast-SettlingCharge CAOHan-meih,YANG Wei2 Sin-tan91,LUTie-jun2,WANGZong-rnin2,CAI Education Institute,Xidian Lab of r1.Microelectronics University,KeyofMinistry for职如1 SemiconductorMaterialsand J Band-Gap D即ice$,ShanXi,Xi’an710071,cIlina; Insistute 100076,Chim I 2.BcijingMicroelectronicsofTechnology,Beijing J is In cross-connectedNMOScellis this Abstract:Alow-voltagefast-settlingchargepumppmposedchargepump,a as i8 withtheuseofadio(I伊connectedNM06transistorwhich usedthebasicelement.T}le settling-timeimproved transfer tOthe switchesare tO the fromone is tOthe charges stage parallelpumpcapacitor.PI麟serialemployed of is7.41 tO simulation n3flxhuln a next the results,the outputvoltage4-stageproposedchargepump According is0.85 whichis smallerthanits V,the relatively counterparts. settling-timep Keywords:charge-pump;fast-settling;CMOS EEACC:2570D 快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计 曹寒梅¨,杨银堂1,陆铁军2,王宗民2,蔡伟2 , \.北京微电子技术研究所,北京(21嚣象耄冀案蓑昙君1流000黼76将黼帕舯埔趱麒魈酒知100

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