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快速热处理对pecvd氮化硅薄膜性能的影响 investigation of the properties of in-line pecvd silicon nitride after rtp
光电子·激光 ．
第19卷第10期2008年10月 of V01．19No．10 Oct．2008
JournalOptoelectronics·Laser
氮化硅薄膜性能的影响*
陈玉武1’2，郝秋艳1，刘彩池¨’，王立建1，孙海知1，赵建国1
(1．天津市河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130；2．天津环欧半导体材料技术有限公司，天津
300384)
摘要：利用PEcVD在硅片上沉积了氮化硅(SiN，)薄膜，将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理
(RTP)，研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面
形貌，利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率，利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼍样品的少子寿命。实
验结果表明随着RTP温度的升高，薄膜厚度迅速减小，折射率迅速增大；低于500℃热处理时，少子寿命基本
不变；高于500℃热处理时，随着温度的升高，少子寿命急剧下降。氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变。
关键词：PFCVD；氮化硅；RTP；太阳电池
中图分类号：0484．4文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)10-1357-04
ofthe ofin-linePFL-WDsiliconIIit—deafterRTP
Investigationproperties
CHEN
Yu-wul”，HAO Cai-chil一，WANG Hai-zhil，
Qiu-yanl，UU Li-jjanx，SUN
ZHAO
Jian-gu01
of
(1．InstituteofinformationFunctionMaterials，Hebei
UniversityTechnology，Tianjin300130，China；2．Tianj。in
HuanOuSemi-conductorMaterial 300384，China)
TechnologyCo．，Ltd，Tianjin
filmswere onsiliconwafer thermal tO
Al曲-aet：跚也thin deposited bYPE(、、D，then，rapidprocessing(㈣wasperformed
at in
thesiliconwaferdifferent ambience．ThecharacteristicsofthethinfilmsafterIU、Pwere
temperatureN2 investigated
withthe of
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by microscope(AFM)andspectralellipsometry．ne increasingtemperature，the
ofthethinfilms index thereflec
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