利用bicom3硅锗高速半导体工艺发展新一代高效能模拟器件.pdfVIP

每 月 特 辑 利用BiCom3硅锗高速半导体 工艺发展新一代高效能模拟器件 Feulner ■德州仪器高速通讯业务发展经理／Matthias Bicom3是一种适合高速器件设计的先进高效能互补 性。未修整的电阻已能提供0．1％精确度的阻抗匹配，雷射 Bi—cMOs工艺．不仅提供很高的晶体管转换频率(transit 修整则能将其精确度再提高1OO倍．对取样输入偏移电压等 frequency)．还具备绝佳的线性特性和精准度。Bicom3以现特性很有帮助。 有的数字工艺器件库为基础，包含种类齐全的数字器件． 并整合数字逻辑与双极电路结构以制造更复杂的功能。 采用Bicom3工艺的高效能模拟数字转换器 近来有许多以无线通讯、医疗影像以及高阶测试与量测为 高速与高度线性的组合最适合要求低信号失真的高速 目标的创新器件出现，代表了此工艺在高速器件设计的潜 数据转换器。大频宽对取样与保持输入电路以及信号路径 力。本文将介绍工艺本身的特点、工艺与某些器件效能参 都有好处，优异的线性特性则能将转换电路的谐波失真减 数的关联以及工艺在实际器件的应用结果。 至极小。 除此之外．设计人员在不影响效能的情形下可利用工 硅锗与转换频率fT 艺的低失真特性在取样与保持电路之前增加一个输入缓冲 以硅锗(siGe)做为晶体管基极的掺杂材料可缩短基 级．cMOs转换器则无法做到这点。 time)．同时将D 极的传输时间(t『ansit ×VA乘积维持在 10．000以上．是晶体管线性特性的重要指针。在此电流特 性下，Bicom3工艺可制造出转换频率高达18GHz的NPN和PNP 晶体管；此优异表现是由于Bicom3不若其它许多高速工艺 只能让NPN晶体管达到最高速度．还能让PNP晶体管达到最 高转换速率。另外，Bicom3晶体管的速度还能达到其它类 似高速工艺的两倍左右。这不仅能实现真正的互补架构． 也是促成高速模拟电路设计的重要关键。 输入缓；中器能减少取样并保持电路的取样电容在切换 soI技术与失真 时所造成的输入信号尖波，使器件在宽广的输入频率范围 Bicom3工艺采用SOl(S…con一0n—lnsulator)技术． 内能提供良好的无混附信号动态范围(sFDR)特性。 ried 利用氧化埋层(bu oxide)把上层硅晶和底层基材 (substrate)隔离．大幅减少寄生电容，使电流增益与尔利 这些结果可从德仪利用BicOM3工艺发展的新型模拟数 电压的乘积(0×VA．晶体管线性特性的重要指针)超 字转换器ADs5424得到证明。 过1OO∞以上．大约高出其它相近高速工艺的4倍。 如后文比较图所示．速度与线性的结合让Bicom3工艺 sFDR与sNR 在这两方面领先其它高速工艺。 从以上分析可知，Bicom3工艺的低噪声和高度线性应 可反映在转换器的sFDR和信号杂波比(sNR)等特性。图2 NicrAI薄膜电阻 与图3为测量转换器在3G无线基站常用取样速率下效能所得 将薄膜电阻导人工艺可为高速器件增加高精准度特 的数据呈现。 31 万方数据