微波大功率sic mesfet及mmic sic mesfets and mmics for microwave power applications.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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微波大功率sic mesfet及mmic sic mesfets and mmics for microwave power applications.pdf

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微波大功率sic mesfet及mmic sic mesfets and mmics for microwave power applications

第2期中国鼋乏纠躇研．完f囊罾幸爰 V01．4No．2 2009年4月 JournalofCAEIT Apr．2009 微波大功率SiCMESFET及MMIC 柏松，陈刚，吴鹏，李哲洋，郑惟彬，钱峰 (南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京210016) 摘要：利用本实验室生长的4H—SiC外延材料开展了SiCMESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiCMESFET采用栅场板结构，显示出优异的脉冲功率特性，20mill栅宽器件在2GHz脉冲输出 rain栅宽的SiC 功率达100W。将四个20 MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成，合成器件的脉冲功率超过320W，增益8．6dB。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上，设计并研制了国内第一 GI-Iz频带内小信号增益大于10 W。片SiC微波功率MMIC，在2—4 dB，脉冲输出功率最大超过lO 关键词：SiCMESFET；微波功率；宽带；MMIC 中图分类号：TN405文献标识码：A 文章编号：1673-5692(2009)02—137-03 MESFETsandMMICsforMicrowavePower SiC Applications BAI Peng，LIZhe—yang，ZHENG Song，CHENGang，WU Wei—bin，QIANFeng ofMonolithic Circuitsand ElectronicDevices (NationalKeyLaboratory Integrated Modules，Nanjing Institute， 210016，China) Nanjing carriedoutinthelabin ElectronicDevicesInstitute SiCMESFET Abstract：Research Nanjing regarding andMMIC isdescribedinthis 4H—SiC materials thelab． technology paper，usingepitaxial developedby nMn tothe MESFETswitha widthof20 earl a ofover research，SiC gate According producepulsepower 100Wat2GHz．FourSiCMESFET a20mm widthare via eombina- chips诵th gate puttogetherpower tion．Theresultantdevicedemonstratesa ofover320 of8．6dB toanin— W，a pulsepower gain compared