微波多芯片组件中垂直通孔互连的研究进展 research progress in vertical via interconnect in microwave multi-chip module.pdfVIP

第26 卷 第3 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.26 No.3 2007 年3 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Mar. 2007 综 述 微波多芯片组件中垂直通孔互连的研究进展 1,2 1 姬五胜 ，谢拥军 （1. 西安电子科技大学电子工程学院，陕西 西安 710071；2. 兰州城市学院电子信息科学与技术研究所，甘肃 兰 州 730070） 摘要: 随着微波多芯片组件密度的不断提高，微波互连的不连续性成为制约其整体性能的瓶颈。从垂直互连通孔 入手，介绍了垂直通孔互连的矩阵束矩量法、时域有限差分法、边基有限元法以及微波网络模型法和 CAD 模型法， 分析了这些方法已经取得的结果，并指出了这些方法的优缺点。通过比较分析，认为时域有限差分法和边基有限元法 是分析互连通孔最有优势的方法。 关键词: 电子技术；微波多芯片组件；综述；垂直互连；通孔；散射参数 中图分类号: TN605 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2007 ）03-0001-04 Research progress in vertical via interconnect in microwave multi-chip module JI Wu-sheng1, 2, XIE Yong-jun1 (1. School of Electronic Engineering, Xidian University, Xi’an 710071, China; 2. Institute of Electronic Information Science and Technology, Lanzhou City University, Lanzhou 730070, China) Abstract: With the increasing density of multi-chip module, the discontinuity of microwave interconnect was the choke point which restrains its integral performance. From the point of vertical interconnect via, the matrix pencil moment method, FDTD, edge-element FEM, microwave network model method and CAD model method of vertical via interconnect were introduced. The analysis of these methods shows their advantages and shortcomings. The conclusion comes that FDTD and Edge-element FEM are better than others in analysis interconnect via. Key words: electron technology; microwave multi-chip module (MMCM); review; vertical interconnect; via; scattering parameter 从 20 世纪 60 年代出现混合微波集成电路 集成度、速度和可靠性。减少信号传输距离、减少互 （HMIC ），到后来