无机sol-gel法制备二氧化钒薄膜的研究 study on vo2 thin films prepared by inorganic sol-gel method.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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无机sol-gel法制备二氧化钒薄膜的研究 study on vo2 thin films prepared by inorganic sol-gel method.pdf

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无机sol-gel法制备二氧化钒薄膜的研究 study on vo2 thin films prepared by inorganic sol-gel method

繁27卷繁Il期电子元搏与捞辩 V01．27No．11 ELECTRONIC 2008年11月 COMPONENTSANDⅣ【ATERIALS NOV。2008 无机sol—gel法制备二氧化钒薄膜的研究葛振华，赵昆渝，李智东，吴东，邹平 (昆明理工大学材料与冶金工程学院，云南昆明 650093) 温度下奏空退火，得到了具有择优驭恕砖V02薄貘．研究了其期备暑艺和显微结擒。结果表臻：豢玻璃衬底和硅褥底上薄膜的最佳真空退火工艺均为480℃／2h．所制备的v02薄膜具有沿ll》晶向生长的择优取向。薄膜表萤影貌良好，颗粒尺寸分布均匀。关键词：无机非金属材料；V02薄膜；V205薄膜：无机sol-geI法审露分类号：TB34；0614．5l文献标识码：A 文章编号：1001-2028(2008)11-0046．04 on thinfilms method StudyV02 byinorganicsol·-gel prepared GE Zhen—hua，ZHAO Kun-yu，LIZhi-dong，WUDong，ZOUPing ofMaterialsand ofScienceand 650093，China) ffaeulty MetallurgicalEngineering,KunmingUniversity Technology,Kunming thinfilmswere from Sisubstratesand method Abstract：V205 preparedbyinorganicsol-gel V20s(AR)on glass substratesheatedin thinfilmswitha orientationwere vacuum with thin air．V02 preferred preparedby annealingprocessV205 films andmicrostructureWerestudied．Theresultsshowthatthebetter atdifferent temperatures。Itspreparationprocess h。The thin hasa vacuum ofthinfilmsonboth andSisubstratesare480C12 films annealingprocess glass V02 preferred and of orientation of thinfilmsate sizes distribution alongwith110directions，surfacemorphologyV02 quitsmooth，the aleuniform． V02particles words：non-metallic thin