高脉冲功率能量PLD法制备MgZnO薄膜中的沉积机理.PDFVIP

第 30卷 　第 3期 发 　光 　学 　报 Vol30 No3 2009年 6月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE Jun. , 2009 文章编号 : (2009) 030344 07 高脉冲功率能量 PLD 法制备 M gZnO 薄膜中的沉积机理 1 1 1 1 1 2 汪壮兵 , 李 　祥 , 于永强 , 梁 　齐 , 揭建胜 , 许小亮 ( 1. 合肥工业大学 应用物理系 , 安徽 合肥 　230009; 　2 中国科学技术大学 物理系 , 安徽 合肥 　230026) 摘要 : 用 PLD 法成功制备了一系列高质量的 M gZnO 薄膜 。实验中发现高脉冲能量沉积薄膜的结构和发光 特性随基片温度的变化规律与低脉冲能量下的结果不一样 :基片在室温时高脉冲能量制备薄膜的 XRD 峰的 半峰全宽比高基片温度时的结果相对更小 ; A FM 显示其颗粒变大 ,柱状生长突出; PL 谱紫峰与绿峰强度比最 大 ,结晶质量反而提高 。另一方面 ,与低脉冲能量时相反 ,增大氧气压强后高脉冲能量沉积的薄膜 XRD 半峰 全宽变窄 。结合实验现象和表征 ,合理解释了高脉冲能量沉积的机理 。室温制备高质量 M gZnO 薄膜的 PLD 沉积机理对于以后在柔性衬底上沉积薄膜的研究有重要的参考价值 。 n c 关 　键 　词 : M gZnO 薄膜 ; 脉冲激光沉积 ; X射线衍射 ; 原子力显微镜 ; 光致发光谱 . 中图分类号 : O482. 31　　　PAC S: 78. 55. Et　　　PACC : 7855D 　　　文献标识码 : A m 不同 ,在基片温度为室温时薄膜的结晶和发光反 1　引　　言 o ( ) 而最好 。对此实验现象 ,结合 X 射线衍射 XRD 、 c ( ) ( ) M gZnO 薄膜是在 ZnO 材料基础上通过掺杂 光致发光 PL 谱和原子力显微镜 A FM 分析 ,给 . M g而实现 ZnO 带隙调节的一种新型的光电半导 出了合理的沉积机理解释 。 体材料 ,其禁带宽度比 ZnO 大 ,本征紫外发射的 柔性有机衬底具有可挠 曲、重量轻 、便于剪 m 能量更大 , 能改善 ZnO 基光电子器件的性能 ,而 裁 、易于大面积生产 、便于运输 、有利于电子器件 且 M gZnO 性质与 ZnO 相似 ,常被用作 ZnO 半导 的小型化和轻便化等独特优点 ,但是柔性衬底不 p 体量子阱、异质结器件及超晶格等结构的势垒 耐高温 ,且无法进行后期热处理 ,如何在柔性衬底