碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像 scanning electron microscopy imaging of single-walled carbon nanotubes and devices.pdfVIP

第26卷第，期 电子显微学报 Vd一筠．H目．5 2007年10月 Jo蚴脚0fC呲ne挑El∞h帅Mic㈣pysociety 2007．10 文章编号：l∞0．繇#l(2∞7)蝤埘5奄5 碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像 彭练矛，王黪，裟学磊，张息勇，姚琵，胡又兄，蔼 曼，陈 渍 (北京天擎电予学系。纳米器傩耱理与化学教鬻鄂重点赛验蜜，托京l嘲71) 摘要：奉史摊讨丁在扫描电境中单壁碳纳米管的成像问题。一般情况下碳蚋米管的像村度随八射电干能量．扫 描速度，样嚣蒜赢扣环境而变，情况非常复杂。但在一定犀度的sj辘绝缘基底上且与套属电枉相连的单壁壤蚋来 孽砖式壤规壤戢撞对薄单。尊甓蕞蝻采菅壤耪震酌贾藏主要束潍于二袅电子面幂燕曹散翦电子。攘甜建产生神 秘理主要舜式侥鲍棼基底囊最猿过崔中馥电祷教幕导熏鹌表面电势酶变化婶于壤镳采警瑷燕局露毡暮J氛二盘 电子生射斌串的影响。 关键词：扫描电子显饭镜；碳纳朱管；蚋米器件 中圈分类母：他383；∞115．2l+53 文献标识襁：A 上令整纪粥年我末，续拳辩蔹戆兴起对袭薤手 她经，露必要系统避讨论一下其在翔拨电辘孛豹戏 段重新提出了众多的挑战。猩宏观足寸，树辩的性 像闻题。 能基本都是由结构(包括缺陷结构)和成分所确定。 l扫描电镜成像原理 但鹦了纳米屡次。许多性能奎簧是由材料的尺度决 定的，有对足魔的影响变得毙缮掏窥成分更为燕要。 鼹然扫接电镜融被广茬她接受为一种较光学显 对于缩米榜耩袭薤静撬战变成了多方位翡，仪仗了 徽辘其有更高势辨黪力懿太众塑豹燕徽肇，毽是扫 解材料的成分和原子结构变褥不再完全，理想的传 描电镜中的成像特别是高分辨戚像过程极为复 统表征手段需辫能够结合原位的结构加工(成生长) 杂”】，其复杂程度遘递超过了透射电镜中的成像过 和实对的物姓(例如电学、力学、光学)测量。喜薯描电 程。宠蹙分折相当豳难。一般的扫描电镜主要利用 镜孛壶手襻菇鲻整毒运较透射魄篷更夭嚣霹弱耀空 懿篷琴是(1≥经过冬撵箍发生了难撵睦效瓣静曹散 间而开始受到高度重视，揭开了扫描电镜快逮发展 的新纪元。本文将探讨扫描电镜在这个方向的一个 发生了非弹性散射的入射电子和背散射电子所产生 特殊应用：用于单壁碳纳米管材料和相关器件的成 豫。 镜巾掰疆选择准弹媲熬鹜散射电予藏豫，获得背教 s 由于碳缡洙管耪辩是出电子显微学者鞴inm 射曦予像。僵是帮使蔻最传统意义上的。二次电子 发现的”’，碳纳米管材料从一开始就和电镜特别是 探*”接受的信号也有相当的背散射电子的贡献。 透射电镜工作者有着紧密相连的关系。单壁碳纳米 讨论一般高分辨二次电子像时需要嗣时考虑背散射 管的壹径介予O．8m一3m志闯，对于多数一般静 翻=敬电子的贡献。 摇摇电镜觳乎举悲露察虱荤藏续续米管鞋耱。草壁 鬻敖射电子或像静挂度一觳取淡子背鼗辩毫予 碳纳米管材料艇问有相当强的范德瓦尔斯相互作 系数(∞，被散射电子和^射电子数瞬的比值)对于原 用，使得单壁磺纳米管材料檄舄团聚。碳纳米管材 子序数(成分衬度)和样品表面形貌的依赖关系。』Ii： 料在扫描电镜中若隐若现(囝1)。即使有时搬扫描 外T)还蕺赖于样品液筒晶面的取向电子通道效应) 毫镜孛溥嚷霹楚，其像翦壹强～觳裁裹迭强专缡零， 羁磁场等因素。璇糖辩懿二痰毫予鬟数(8，扶表嚣 且随扫描电镱戚像条件而变，令人很难判断疑香观 发射的=次电子和^射电子数目的院值)异常的小， 察到的是单根单壁碳管。文献中有一些关于碳纳米 大约仪为其它元素的一半，约为0．05。碳