提高sic mesfet栅金属平坦性的方法 methods of improving gate metal flatness for sic mesfet.pdfVIP

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１００３００６ 提高 栅金属平坦性的方法 ＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴ 霍玉柱，商庆杰，杨霏，潘宏菽 （专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所石家庄， ） ０５００５１ 摘要： 金属半导体场效应晶体管的工艺研制中，通常需要有源区之间的隔离。现常用刻 ＳｉＣ  ， ， ， 蚀隔离的方法但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题若隔离台阶太陡则栅金属在台阶 处连续性较差，易产生电迁徙，器件工作时首先在此处烧毁，使器件失效。设计了几种提高栅金 属平坦性的方法通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀 功率可以实现 左右 ： ， ＩＣＰ ＲＩＥ １８° 倾斜台阶；通过“类平坦化”技术可以将绝缘介质淀积到台下区，基本实现无台阶；利用“离子 注入隔离取代刻蚀隔离则可以真正实现无台阶实验验证以上方法可以有效提高栅金属的 ” “ ” 。 平坦性。 ： ； ： ； ； ； 关键词金属半导体场效应晶体管栅金属平坦性隔离台阶电迁徙离子注入隔离 ： ： ： （ ） 中图分类号 文献标识码 文章编号 ＴＮ３８６３ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ０３０２２１０４ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｇａｔｅ Ｍｅｔａｌ Ｆｌａｔｎｅｓｓ ｆｏｒ ＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴ ， ， ， Ｈｕｏ Ｙｕｚｈｕ Ｓｈａｎｇ Ｑｉｎｇｊｉｅ Ｙａｎｇ Ｆｅｉ Ｐａｎ Ｈｏｎｇｓｈｕ （ ， ， ， ） Ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ ＡＳＩＣ Ｈｅｂｅｉ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ ０５００５１ Ｃｈｉｎａ ： Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｍｅｓａｗａｓａｌｗａｙｓｕｓｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ ｏｆ ＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴＴｈｅ ａｂｒｕｐｔ ｓｔｅｐｓｗｉｌｌ ｌｅａｄ ， ｂａｄ ｃｏｎｔｉｎｕａｎｃｅ ｏｆ ｇａｔｅ ｍｅｔａｌ ｅｖｅｎ ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ． Ａｌｌ ｏｆ ｔｈｏｓｅ ｃａｎ ｌｅａｄ ｆａｉｌｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅ． Ｔｈｒｅｅ ， ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ ｇａｔｅ ｍｅｔａｌ ｆｌａｔｎｅｓｓｆｏｒ ＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴ ｗｅｒｅ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ ａｎｄ ａｎ ａｒｏｕｎｄ １８°ｔｉｌｔ ｓｔａｇｅ ｃａｎ ｂｅ