体硅高压ldmos器件二维温度分布模型 research on 2d temperature distribution model of the bulk-silicon high-voltage ldmosfet.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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体硅高压ldmos器件二维温度分布模型 research on 2d temperature distribution model of the bulk-silicon high-voltage ldmosfet

v01．30 第30卷第3期电子器件 No．3 2007年6月 Chine辩Jourml()fElec佃蛳De、矗ces Jun．2007 Researchon2D Dist“butionModelofthe Temperature Bull—Silicon LDMoSFET。 High-Voltage W-ANG Qi，z，SUN Xi口，yANG W童i一扣门g，LJU DD以g-Zi” (№fiDnⅡ，ASJC Sys￡啪幽ginPPri柠gRPs阳rf^已行￡Pr，So“娩∞对哳i御r“￡y，Nn巧诹210096，C^i竹n) Abstract：Thebullrsilicon I。DMOSFET，whendifferent different high—voltage passing current，dissipates This coversa2D distributionmodelofthebulk—siliconN—I。DMOS the power． paper temperature bysolving heatdiffusion Onthe basisof model，wecalculatedthe distributionofthe equation． proposed temperature bulk—silicon N—I。DMOS inboth1inearandsaturation theself-heat— high—voltage operating region，discussed effectthe differentofthedevice，and thedifferent distributionoftheN— ing by part explained temperature I。DM()S inthedifferent operating high-voltagepulse． words：Bulk—sjlicon distribution Key I。DMOS；self-heating；temperature EEACC：2570F 体硅高压LDMoS器件二维温度分布模型* 王钦，孙伟锋，刘侠，杨东林 (东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心，南京210096) 摘要：体硅高压I．【)M(粥器件．在不同工作方式下，自身的发热情况也不同．本文通过解热传导方程，研究了体硅N_Ln 个部分自热引起的温度升高以及其在不同宽度的高压脉冲作用下，MLDM0s器件的温度分布变化情况．关键词：体硅LDM()s．自热；温度分布中图分类号：TP316 文献标识码：A 功率M()s器件，和其他半导体功率器件一样，管工作时，源漏极之间被加上100V的高压脉冲[引，通常工作在大电流、高电压的条件下．工作时其产生 I。DMO