一种偏置电流可调节的高效率2.4 ghz锗硅功率放大器 a high efficiency sige power amplifier with bias current controlling circuit.pdfVIP

第29卷第3期 固体电子学研究与进展 V01．29，No．3 OFSSE Sep．，2009 2009年9月 RESEARCHPROGRESS GHz 一种偏置电流可调节的高效率2．4 锗硅功率放大器’ 彭艳军1” 王志功1 宋家友1’2 (1东南大学射频与光电集成电路研究所，南京，210096)(2郑州大学信息工程学院，郑州，450052) 2008一i0—07收稿，2009—04—09收改稿 摘要：基于IBM0．35肛mSiGeBiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2．4GHz锗 硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结构和一种新型偏置电路，除射频扼流电感外，其它元件均片