基于EXB841的IGBT驱动与保护电路研究1引言多绝缘栅双极型.PDFVIP

基于EXB841的 IGBT驱动与保护电路研究 1 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型 体管与MOSFET 组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型 晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。 但是，IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、快开关损耗、承受短路电流 能力及du/dt 等参数，并决定了IGBT静态与动态特性。因此设计高性能的驱动与保护电路 是安全使用IGBT的关键技术[1,2]。 2 IGBT对驱动电路的要求 （1）触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度，即脉冲前后沿要陡峭； （2）栅极串连电阻Rg要恰当。Rg过小，关断时间过短，关断时产生的集电极尖峰电压过 高；Rg过大，器件的开关速度降低，开关损耗增大； （3）栅射电压要适当。增大栅射正偏压对减小开通损耗和导通损耗有利，但也会使管子承 受短路电流的时间变短，续流二极管反向恢复过电压增大。因此，正偏压要适当，通常为+15V。 为了保证在C-E间出现dv/dt噪声时可靠关断，关断时必须在栅极施加负偏压，以防止受到 干扰时误开通和加快关断速度，减小关断损耗，幅值一般为-（5～10）V； （4）当IGBT 处于负载短路或过流状态时，能在IGBT允许时间内通过逐渐降低栅压自动抑 制故障电流，实现IGBT的软关断。驱动电路的软关断过程不应随输入信号的消失而受到影 响。 当然驱动电路还要注意像防止门极过压等其他一些问题。日本 FUJI 公司的 EXB841 芯片 具有单电源、正负偏压、过流检测、保护、软关断等主要特性，是一种比较典型的驱动电路。 其功能比较完善，在国内外得到了广泛[2,3,4]。 3 驱动芯片EXB841的控制原理 图1为 EXB841的驱动原理[4,5]。其主要有三个工作过程：正常开通过程、正常关断过 程和过流保护动作过程。14和15两脚间外加PWM控制信号，当触发脉冲信号施加于 14和 15引脚时，在GE两端产生约16V的IGBT开通电压；当触发控制脉冲撤销时，在GE两端产 生-5.1V的IGBT关断电压。过流保护动作过程是根据IGBT 的CE极间电压 Uce 的大小判定 是否过流而进行保护的，Uce由二极管Vd7检测。当IGBT 开通时，若发生负载短路等发生 大电流的故障，Uce 会上升很多，使得Vd7截止，EXB841的 6 脚“悬空”，B 点和C 点电位 开始由约6V上升，当上升至13V时，Vz1被击穿，V3导通，C4通过 R7和 V3放电，E 点的 电压逐渐下降，V6导通，从而使IGBT的GE间电压Uce下降，实现软关断，完成EXB841对 IGBT的保护。射极电位为-5.1V，由EXB841内部的稳压二极管 Vz2决定。 图 1 EXB841的工作原理 作为IGBT的专用驱动芯片，EXB841 有着很多优点，能够满足一般用户的要求。但在大 功率高压高频脉冲电源等具有较大电磁干扰的全桥逆变应用中，其不足之处也显而易见。 （1）过流保护阈值过高。通常IGBT在通过额定电流时导通压降Uce约为3.5V，而EXB841 的过流识别值为7.5V左右，对应电流为额定电流的2～3倍，此时IGBT 已严重过流。 （2）存在虚假过流。一般大功率IGBT的导通时间约为1µs左右。实际上，IGBT 导通 时尾部电压下降是较慢的。实践表明，当工作电压较高时，Uce下降至饱和导通时间约为 4～ 5µs，而过流检测的延迟时间约为2.7µs.因此，在IGBT开通过程中易出现虚假过流。为了 识别真假过流，5脚的过流故障输出信号应延迟5µs，以便保护电路对真正的过流进行保护。 （3）负偏压不足。EXB841使用单一的20V电源产生+15V和-5V 偏压。在高电压大电流 条件下，开关管通断会产生干扰，使截止的IGBT误导通。 （4）过流保护无自锁功能。在过流保护时，EXB841对IGBT 进行软关断，并在 5脚输 出故障指示信号，但不能封锁输入的PWM控制信号。 （5）无报警电路。在系统应用中，IGBT发生故障时，不能显示故障信息，不便于操作。