(第三讲)第一章 半导体器件概述.pptVIP

* 例：UCE=6V时： IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = * (2) 反向饱和电流 1) 集电极基极间反向饱和电流Icbo Icbo的下标cb代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极E开路。 Ge管：?A量级 Si管：nA量级 2) 集电极发射极间的穿透电流Iceo Iceo和Icbo有如下关系 Iceo=（1+ ）Icbo 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流 * 1) ICM —— 集电极最大允许电流 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的2/3时所对应的最大集电极电流 (3) 极限参数 当IC＞ICM 时，三极管并不一定会损坏。 2) PCM —— 集电极最大允许功率 集电极电流通过集电结时所产生的功率， PCM= ICVCB≈IC VCE ， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB 。 * 集电极最大允许功率PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 * 3) 反向击穿电压 :表示三极管电极间承受反向电压的能力 V (BR) CBO V (BR) CES V (BR) CER V (BR) CEO (3) 极限参数(续) * 2. 电路模型 三极管的微变等效电路 1) 输入回路 iB uBE 当信号很小时，可将输入特性在小范围内近似线性化。 ?uBE ?iB 对输入的小交流信号而言，三极管相当于电阻rbe。 rbe的量级从几百欧到几千欧。 * 2) 输出回路 iC uCE 所以： (1)输出端相当于一个受ib 控制的电流源。 近似平行 (2)考虑 uCE对iC的影响，输出端还要并联一个大电阻rce。 rce的含义: ?iC ?uCE * ube ib uce ic ube uce ic rce很大， 一般忽略。 3) 三极管的微变等效电路 rbe ?ib ib rce rbe ?ib ib b c e 等效 c b e * P41： 1、题1.6、1.8 习题 * 第一章 半导体器件概述 § 1.1 PN结及二极管 § 1.2 半导体三极管 1.2.2 三极管的基本特性 1.2.3 三极管的主要参数及电路模型 § 1.3 半导体场效应管 § 1.4 集成运算放大器 * § 1.2 半导体三极管 半导体三极管又称晶体三极管，简称晶体管或三极管 在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型三极管，简记为BJT（英文Bipo1ar Junction Transistor的缩写） 它的基本功能是具有电流放大作用 * BJT的结构 发射结 集电结 两种结构类型： NPN型 PNP型 发射区 集电区 基区 发射极 基极 集电极 * 1. 由三层半导体组成，有三个区、三个极、两个结 2. 发射区掺杂浓度高、 B E C B E C BJT的结构 基区薄、集电结面积大 * 1.2.1 三极管的基本工作原理 半导体三极管有3个电极，在实际使用中有一个电极输入信号，一个电极输出信号，还有一个则作为输入输出的公共端 按公共端电极的不同，有共射、共基和共集3种基本组态 起放大作用时的必备条件：发射结正偏、集电结反偏 * 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 起放大作用时的必备条件：发射结正偏、集电结反偏 * 1. 三极管内部载流子的传输过程 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBN 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 * B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICN+ICBO?ICN IBN ICN 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。 * 三极管各区的作用: 发射区向基区提供载流子 基区传送和控制载流子 集电区收集载流子 发射结加正向电压 集电结加反向电压 三极管在工作时一定