(自动控制)第四章：根轨迹法.pptVIP

教学目的 本章重点 本章重点 本章重点 本章要求 第四章：根轨迹法 根轨迹法是研究控制系统的又一种方法。 从前面的学习我们已知道了，闭环传递函数的极点（闭环系统 的特征根）决定了系统的瞬时响应的基本特征┈模态。 闭环系统的极点（特征根）在s平面上的位置，决定了系统的 响应： c. 系统响应单调上升（ξ＝1）系统具有两个相等的负实 根┈临界阻尼。 　　要求解系统的特征根，对于高于三阶的系统，求根比较 困难，如果要研究系统参数变化对特征根的影响时，需要大 量反复的计算，同时还不能直观地看出系统性能随参数变化 的影响趋势。 　　为了避免直接求解高阶方程的特征根困难，1948年， W.R.Evans根据反馈控制系统开环传递函数与其闭环特征方程 式之间的内在联系，提出了一种非常实用的求取闭环特征方 程式根的图解法－根轨迹法。 　　根轨迹的概念：它是开环系统某一参 数从零变化至无穷时，闭环系统的特征根 在s平面上变化的轨迹。 　　注意概念，根轨迹是通过开环系统来 研究闭环系统特征根的变化。 根轨迹概念 　由以上分析，s1、s2两条根轨迹反映了系统特征根随参 数k变化的规律，组成了系统的根轨迹。 　1.二阶系统有两个特征根，它的根轨迹有两条分支； 一个n阶系统的根轨迹则应有n条分支。 　2.k＝0时的闭环极点，s1=0、s2=-2正好是开环传递函 数的两个极点，因此说，系统开环极点就是它各条根轨 迹的起点。 　3. k＝∞时的闭环极点，是根轨迹的终点。 　4.特征方程的重根点是根轨迹的分支离开负实轴进入复 数平面的分支点。 　5.在k为有限范围内，二阶系统特征根的实部总是负的（就这道例题而言），因此根轨迹全在左半s平面。而三阶或三阶以上系统特征根的实部在k超过某一数值后，可能变为正值，以致根轨迹由左半s平面穿过虚轴进入右半s平面，使系统变得不稳定。 　6.s=-1的直线是原点0到(-2，j0)点之间负实轴的垂直 平分线，在根轨迹上任取一点s连接s1=0、s2=-2的两点 向量　　　　与负实轴构成等腰三角形，向量　　　　 与横座标的夹角之和为180°，即θ1+ θ2= 180° 根轨迹与系统性能之间的关系 　有了根轨迹，就可以分析系统的稳定性 　稳定性：如果从k＝0到k＝∞，根轨迹不会越过虚轴进 入右半s平面，说明系统对所有的k值都是稳定的。 　如果越过虚轴进入右半s平面，此时根轨迹与虚轴交点 处的k值就是系统稳定与不稳定的临界增益。 　动态性能：从根轨迹图可以分析出系统的工作状态， 如过阻尼状态、欠阻尼状态…… 1、闭环系统根轨迹增益 ，等于开环系统前向通路根轨迹增益。对于单位反馈系统，闭环系统根轨迹增益就等于开环系统根轨迹增益。 2、闭环零点由开环前向通路传递函数的零点和反馈通路传递函数的极点所组成。对于单位反馈系统，闭环零点就是开环零点。 3、闭环极点与开环零点、开环极点以及根轨迹增益。 均有关。 结论：根轨迹法的基本任务在于：如何由已知的开环零、极点的分布及根轨迹增益，通过图解的方法找出闭环极点。一旦确定闭环极点后，闭环传递函数的形式便不难确定，因为闭环零点可由上式直接得到。 根轨迹方程 　由于根轨迹是所有闭环极点的集合，而闭环极点又是 特征方程的特征根，为了求出所有的闭环极点，研究一 下闭环系统的特征方程。 根轨迹方程 根轨迹的模值条件与相角条件 根轨迹的模值条件与相角条件 绘制常规（也叫180度）根轨迹的一般规则 总结： 1、常见的根轨迹分离点是位于实轴上的两条根轨迹分支的分离点。 2、如果根轨迹位于实轴上两个相邻的开环极点之间，其中一个可以是无限极点，则在这两个极点之间至少存在一个分离点。 3、如果根轨迹位于实轴上两个相邻的开环零点之间，其中一个可以是无限零点，则在这两个零点之间也至少有一个分离点。 4、分离角定义为根轨迹进入分离点的切线方向与离开分离点的切线方向之间的夹角。显然，当l=2时，分离角必为直角。 根轨迹示例1 根轨迹示例2 零度根轨迹 零度根轨迹的模值条件与相角条件 绘制零度根轨迹的基本法则 确定闭环极点的方法 确定闭环极点的方法 广义根轨迹 控制系统中除了k* 发生变化外，还有许多参数， 如时间常数。时间常数参数发生变化也会影响根 轨迹的运动。 以开环增益k*为可变参量的常规根轨迹是最常见 的。若需要研究除k*外的其它参数对系统性能的 影响，就要绘制以其它参数为可变参量的根轨迹 ，即参数根轨迹或广义根轨迹。 广义根轨迹 参数根轨迹 参数根轨迹 如果系统的特征方程式为 则根轨迹的分离点和会合点可由下述方程的根确定 需要说明的是，此处用来确定分离点或会合点的条件只是必要条件，而非充分条件。按上式求得的根并非都是实际的分离点或会合点，只有位于根轨迹上的那些重根才是实际的分离