荧光exafs研究镶嵌在sio2中的ge纳米晶的局域结构 local structure of ge nanocrystals embedded in sio2 studied by fluorescence exafs technique.pdfVIP

第29 卷 第9 期 核 技 术 Vol. 29, No.9 2006 年9 月 NUCLEAR TECHNIQUES September 2006 荧光EXAFS 研究镶嵌在SiO2 中的 Ge 纳米晶的局域结构 1 1 2 1 闫文盛 孙治湖 A.V. Kolobov 韦世强 1 （中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥 230029 ） 2 （National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central4, 1-1-1 Higashi, Ibaraki 305-8562, Japan） 摘要 用荧光扩展X 射线吸收精细结构(EXAFS)研究了磁控溅射法制备的镶嵌在 SiO2 中的Ge 纳米晶的局域 结构。结果表明，在Ge 的摩尔分数为25%和60%的初始样品中，Ge 原子主要是以非晶GeO2 和Ge 物相存在， 其中在Ge 的摩尔分数为25% 的样品中，以GeO2 物相为主。经1073 K 退火后，样品中生成了Ge 纳米晶。在 Ge 的摩尔分数为25% 的样品中，Ge 纳米晶只是来源于初始样品中的非晶Ge，而在Ge 的摩尔分数为60%的 样品中Ge 纳米晶除了来源于初始样品中的非晶Ge 外还来自于部分GeO2 。进一步分析表明在Ge 的摩尔分数 为60%的样品中，有摩尔分数为20% 的GeO2 与来自衬底的Si 发生还原反应生成Ge 纳米晶。 关键词 扩展X 射线吸收精细结构，Ge 纳米晶，局域结构 中图分类号 O484 近年来，人们在实验上发现镶嵌在 SiO2 中的 的关键。人们已利用透射电镜（TEM ）、扫描电子 Ge 纳米晶具有强的可见光致发光现象，并且从理论 显微镜（SEM ）和拉曼技术等研究Ge 纳米晶的结 上预期了随着 Ge 材料颗粒尺寸的减小，其将从间 构[6-10] 。但这些技术不能够定量地给出在Ge 纳米晶 接带隙结构转变为直接带隙结构[1,2] 。最近，Banerjee 的形成过程中Ge 原子的局域结构信息。因此，为 等在Ge 纳米晶中又观察到库伦阻塞等效应[3]，并且 了深入了解Ge 纳米晶的发光特性，有必要对其局 Duguay 和Tiwari 等发现含有Si 或Ge 纳米晶的金 域结构进行深入研究。 属-绝缘体-半导体(MIS)的结构，在室温和低工作电 扩展X 射线吸收精细结构（EXAFS ）技术是确 压下有着良好的记忆效应[4,5] 。这使得镶嵌在 SiO2 定原子局域环境结构的强有力手段，它对吸收原子 基体中的Ge 和Si 纳米晶在Si 衬底的集成光电子器 周围的元素种类和短程有序有很高的灵敏度。在多 件中有着广泛的应用前景，因而近十多年来这一直 元复杂材料体系中，EXAFS 可以分别研究其任一元 是物理学家和材料学家的研究热点。 素周围配位环境的结构参数[11] 。我们利用 EXAFS 迄今为止，制备镶嵌在SiO2 中的Ge 纳米晶的 研究了磁控溅射法制备的具有不同 Ge 浓度的镶嵌 方法主要有磁控共溅射、离子注入和GeSi 合金热氧 在SiO2 介质中的Ge 原子在退火前后的局域结构， 化等[1,6-9] 。其中的磁控共溅射方法因操作简单和可 首次