电工电子技术第7章 半导体器件.pptVIP

第7章 半导体器件 7.1 半导体二极管 纯净的半导体称为本征半导体。 常用的本征半导体是硅和锗二晶体。 7.1.2杂质半导体 半导体中电子的数目增加，这种半导体导电主要靠电子，所以称为电子型半导体，又称 N 型半导体。其中自由电子是多数载流子，空穴为少数载流子。 7.1.3PN结及其单向导电性 7.1.4半导体二极管 按材料不同分 7.1.5特殊二极管 7.2 半导体三极管 7.2.2三极管的放大原理 以NPN型三极管为例，要使三极管具有电流放大作用，发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 。 7.2.3三极管的特性曲线 1.输入特性 输入特性曲线 7.2.4三极管的主要参数 1. 电流放大系数 （1）直流电流放大系数（2）交流电流放大系数 7.3 场效应管 7.3.2N沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理 7.3.3N沟道增强型绝缘栅场效应管特性曲线 7.3.4N沟道耗尽型场效应管 7.3.5主要参数 * * 7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 7.3 场效应管 主页面 【知识要求】 了解半导体的类型和特性，理解PN结的形成，掌握PN结的单向导电性； 了解半导体二极管的结构，掌握半导体二极管的伏安特性； 掌握半导体三极管的放大作用，外特性； 了解绝缘栅场效应管的结构、工作原理，特性、参数及使用注意事项； 会用万用表检测二极管的极性和好坏；会用万用表判别三极管的管型和引脚。 【能力要求】 7.1.1本征半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 空穴 自由电子 共价健 2.载流子 3. 复合 1.本征激发 4.电子电流 空穴电流 1.N型半导体 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 自由电子 半导体中空穴的数目增加，这种半导体导电主要靠空穴，因此称为空穴型半导体，又称P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 空穴 2.P型半导体 通过一定的工艺，使一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起时，在他们的交界处会形成一个特殊区域，称为PN结。 1.PN结的形成 P型半导体 N型半导体 内电场 漂移 扩散 空间电荷区 对多数载流子的扩散运动起阻碍作用 有助于少数载流子的漂移运动 扩散运动与漂移运动达到动态平衡 PN结加上正向电压 空间电荷区变窄 内电场 正向电流大 外电场 2.PN结单向导电性 P N + + + - - - 反向电流小 PN结加上反向电压 空间电荷区变宽 内电场 外电场 P N + + + - - - + + + + + + - - - - - - PN 结具有单向导电性 。 PN 结加正向电压时，电路中有较大电流流过， PN 结导通； PN 结加反向电压时，电路中电流很小， PN 结截止。 PN 结单向导电性 分类 面接触型 锗二极管 按结构不同分 硅二极管 点接触型 1.结构与类型 阳极 阴极 VD 阴极 P N 阳极 外壳 PN结 结构外形及符号 导通压降: 硅管0.6-0.7V,锗管0.2-0.3V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。 反向饱和电流 U/V 锗 管 正向特性 10 硅管 I/mA O 20 40 30 20 10 20 死区电压 μA 0.5 1.0 1.5 反向特性 2.二极管的伏安特性 （1）最大整流电流IFM （2）最大反向工作电压URM （3）最大反向电流IRM （4）最高工作频率fM 3.二极管的主要参数 1.硅稳压二极管 阳极 阴极 VDZ IZ △IZ IZm A B △UZ UZ 2.发光二极管 3.光电二极管 U/V 0.4 0.8 －2 －10 －4 －6 －8 －12 I/mA 5 15 20 10 O 30 20 10 7.2.1三极管的基本结构、符号 发射结 集电结 PNP NPN B C E 集电区 发射区 基区 发射极 集电极 基极 B C E C 集电区 发射区 基区 发射极 集电极 基极 B C E C B C E B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区尺寸比发射区大 基区很薄，杂质浓度最低 发射区杂质浓度高 常见外形 （1）发射区向基区发射电子 （2）电子在基区扩散与复合 （3）电子被集电极收集 三极管内部载流子运动的过程 IB