gasb基的inasgasbⅱ类超晶格背景载流子浓度的测量 measurement of the background carrier concentration of type-ⅱ inasgasb superlattices based on gasb.pdfVIP

第42卷第1期 激光与红外 V01．42，No．1 2012年1月 IASER＆ INFRARED January，2012 文章编号：1001-5078(2012)01-0045-06 ·红外材料与器件· 徐志成，陈建新，何 力 (中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院红外成像材料与器件重点实验室．上海200083) 摘要：高质量的InAs／GaSbII类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上，由于 GaSb衬底具有良好的导电性，传统的霍尔测量难以直接得到外延超晶格材料的载流子浓度等 电学参数，所以，如何准确地获得InAs／GaSb超晶格外延材料中的载流子浓度成为了研究人员 关注的焦点之一。主要介绍了InAs／GaSbII类超晶格背景载流子浓度测量的四种典型的方 法：低温霍尔技术；变磁场霍尔