gan基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究 proton irradiation effect of gan-based high electron mobility transistor.pdfVIP

空间电子技术 2013年第3期　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 SPACE ELECTRONICTECHNOLOGY 33 GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究① 吕　 玲,林志宇,张进成,马晓华,郝　 跃 (宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,西安电子科技大学微电子学院　 710071) 　 　 摘　 要:文章研究了AlGaN/ GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。 在3MeV质子辐照下,采用三 14 14 15 2 种不同辐照剂量6×10 ,4×10 和1×10 protons/ cm 。 在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导 降低了5%。 随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。 AlGaN/ GaN HEMT 电学特性的退化主要是由 辐照引入的位移损伤引起的。 从SRIM软件计算出空位密度,将Ga 空位对应的能级引入Silvaco 器件仿真软件中, 仿真结果与实验结果相匹配。 Hall测试结果显示二维电子气(2DEG)浓度和迁移率在辐