insb薄膜分子束外延技术研究 research of insb film growth by molecular beam epitaxy.pdfVIP

第43卷第11期 激光与红外 V01．43，No．11 2013年11月 LASER＆ INFRARED November，2013 文章编号：1001—5078(2013)11—1256-04 ·红外材料与器件· InSb薄膜分子束外延技术研究 刘 铭，程 鹏，肖 钰，折伟林，尚林涛，巩锋，周立庆 (华北光电技术研究所，北京100015) 摘要：InSb材料由于其优异的光电性能，一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温 工作是InSb发展的一个重要方向，开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文 采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜，通过金相显微镜、x射线双晶衍射仪、原 子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析，并 采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平