偏置电压对日盲型algan探测器性能的影响 effects of bias voltage on the performance of solar-blinded algan.pdfVIP

第加卷 第3期 激光与红外 V01．40．No．3 2010年3月 L幅ERINFRARED March，2010 文章编号：1001-5078(20|o)03．0260-04 ·紫外材料与器件· 偏置电压对日盲型A1GaN探测器性能的影响 林言成，肖功海，舒嵘 (中国科学院上海技术物理研究所，上海200083) 摘要：偏置电压对AIGaN器件有两方面的影响，一方面偏置电压会对内部两级放大器各 MOS管的工作状态产生影响，在应用中应合理地设置使各管工作在恰当状态；另一方面偏置 电路上叠加的纹波也是一种噪声源，会耦合到探测器的输出。本文首先是理论推导影响输出 的各种因素，再利用spice模型仿真单元运放偏置电压K．m、参考电压％、正电源％、地匕对 读出噪声的贡献，最后结合实际图像，直观地表现偏置电压对图像的影响。从而对探测器读出 电路设计者和