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内存设计相关知识总结 内容 内存相关名词解释 内存种类 内存区别及信号描述 内存基本时序 内存设计 Example 1.名词解释 RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 SRAM：Static RAM 静态随机存储器，利用双稳态触发器保存信息。 DRAM：Dynamic RAM 动态随机存储器，利用电容充放电保存信息，需要 不断的充电，也叫刷新(Refresh)。 SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器，64位带宽，3.3V工作电压。 DDR：Double Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器。 DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步动态随机存储器。 DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步动态随机存储器。 SIMM：single inline memory module 单列直插内存模组，内存条两侧金手指提供相同信号，一次最高传输32bit数据。 DIMM：dual inline memory module 双列直插内存模块，金手指两侧各自独立传输信号。 位宽：内存芯片颗粒的数据线位数，目前常用有x4，x8，x16三种。 BANK：颗粒内部的存储阵列，一个阵列就是一个BANK，目前主要有4BANK和8BANK。 RANK：处理器和内存能够进行一次完整的数据读取所需要的颗粒数目组成一个RANK。如64位处理器，一次完整的数据读取分别需要16个x4，8个x8，16个x4的颗粒组成一个RANK。 PAGE：在一个RANK中，相同逻辑地址的BANK（分属于不同颗粒）同一行地址所包含的列的存储单元数目称为一个PAGE。 频率：如DDR2等效工作频率400/533/667/800对应实际时钟频率为100/133/166/200MHz SDRAM （以时钟频率来命名） PC100 PC133 DDR（DDR/DDR2/DDR3以数据传输率命名，单位 MB/s） PC 1600〉 DDR200 (64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s) PC 2100〉 DDR266 （64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s） PC 2700〉 DDR333 PC 3200 〉DDR400 DDR2 PC2-4300〉 DDR2 533 PC2-5300〉 DDR2-667 PC2-6400〉 DDR2 -800 DDR3 PC3-6400〉 DDR3 800 PC3-8500〉 DDR3-1066 PC3-10600〉 DDR3 -1333 PC3-12800〉 DDR3 -1600 DDR2信号描述 DDR3信号描述 4.内存基本时序 DDR2 SDRAM内部有4个模式配置寄存器： MR/EMR(1)/EMR(2)/EMR(3) 向4个寄存器中写入相应的值，也就是命令，即配置了DDR2 SDRAM的工作参数。 命令的写入是通过地址线和BA片选线实现。 上电时，CKE=ODT=Low，VDD/VDDL/VDDQ来自同一Power Source，VTT0.95V，VREF=VDDQ/2，待VDDQVDDQmin时，完成上电。 启动时钟，在VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT稳定后至少200us，CK/CK#稳定，执行NOP，并将CKE=High。 400us后，执行Precharge All。 EMRS to EMR(2).(BA0=BA2=Low，BA1=High) EMRS to EMR(3).(BA2=Low，BA0=BA1=High) EMRS—〉使能DLL。 MRS—〉reset DLL。 Precharge all. Auto-refresh 2 or more. MRS（A8=Low）.初始化 Device。 OCD Calibration，exit OCD Calibration mode。 DDR2 SDRAM 初始化完成。 BANK激活 激活BANK时：CAS#=WE#=High，CS#=RAS#=Low。 BA0-BA2：选择所要激活的BANK。 A0-A15：确定所选择BANK的行地址。 激活BANK之前，不能进行Read/Write操作。 同一BANK在执行相邻的两个激活命令之间，必须进行一次预充电。 几个时间的定义 tRAS：ACT to PRE Delay tRP： PRE to ACT Delay tRC：ACT to ACT Delay tRCD：ACT to RD(A) or WT(A) Delay（RAS# to CAS# Delay） CL：CAS# Latency Read/Write