一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真.pdfVIP

第29卷 第2期 半 导 体 学 报 VO1．29 NO．2 2008年2月 JOURNAL OF SEMICoNDUCTORS Feb．，2008 一 种新结构IGBT 内透明集电极IGBT的仿真* 王 浩 胡冬青 吴 郁 周文定 亢宝位 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022) 摘要：对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真．这种IGBT是在传统非透明集 电极IGBT结构基础上，通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法，使器件在物理上实现了集电极对电 子的透明，同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题．对器件的温度特性和关断特性进行了 仿真研究，并与现行PT—IGBT和 FS—IGBT进行了比较．仿真结果表明，通过合理调整内透明集电极 IGBT的参数组合，可 以使其在具有通态压降正温度系数的同时，又具有较快的关断速度，实现透明集电极 IGBT的优良性能． 关键词：内透明集电极；PT．IGBT；NPT—IGBT；高复合层 EEACC：2560 中图分类号：TN323 ．4 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2008)02—0348—04 减薄到亚微米量级且掺杂浓度适当降低．当器件关断 1 引言 时，由于集电区掺杂浓度很低且很薄，对电子几乎是透 明的，n一区在导通态存储的电子很容易通过扩散穿过 当前，电力电子器件已进入高压高频的时代，电压 集电区并从集电极流出，实现器件快速关断(此即所谓 高达几千伏，频率高达几十千赫．IGBT(insulated gate 的透明集电极技术)．因此，漂移区载流子寿命可以尽量 bipolar transistor)兼顾了较低通态压降和较高的开关 高，器件具有饱和电压正温度系数，且关断时间随温度 速度，且具有通态损耗和开关损耗都较低，又能承受高 增加较少、但对于低压的IGBT来说，以600V IGBT为 电压，因此成为电力电子应用领域的主流器件． 例，当si片减薄到70～80Fm之后，还要经过离子注入 从上世纪80年代初IGBT出现以后|1]，平面栅IG． 背面P 集电区以及多次清洗、退火、金属化淀积、合金 BT大致经历了三代技术：上世纪80年代初的穿通型 等工艺步骤，要想保证si片不碎片、不翘曲、低缺陷，从 IGBT(punch—through IGBT，PT—IGBT)，1988年的非 而实现较高的成品率，这具有极高的技术难度． 穿通 型 IGBT(non punch．through IGBT，NPT—IG． 综上所述，对常用的600～1200V类 IGBT，现行两 BT)|2』，2000年的电场终止型 IGBT(field stop IGBT， 种制造工艺都不理想．PT．IGBT制造工艺简单，但器件 FS—IGBT)|3]．穿通与非穿通是指：在击穿电压下，耗尽 存在重大的性能缺陷，NPT—IGBT和FS．IGBT性能优 层是否穿通n一漂移区(耐压层)．但三者的根本区别不 越，但加工难度大．为了兼顾PT．IGBT的加工低难度和 在于此，而在于提高器件开关速度的手段不同．PT．IG． 透明集电极IGBT的优良性能，本文作者新近提出了内 BT以P 单晶为起始材料，耐压层通过外延获得．以衬 透明集电极 IGBT(internal transparent collector IG． 底为集电区(背发射区)，具有厚度大、掺杂浓度高等特 BT，ITC—IGBT)的概念，本文是对这种新器件性能的首 点．器件导通状态时，pnp晶体管的空穴发射效率高，n一 次比较深入的仿真分析． 区电导调制效应显著，产生大量电子空穴对．器件关断 透明集电极 IGBT的基本思想，是在集电区内紧邻