1~2ghz宽带gan功率放大器的设计与实现 design and implementation of a 1-2 ghz wideband gan power amplifier.pdfVIP

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1~2ghz宽带gan功率放大器的设计与实现 design and implementation of a 1-2 ghz wideband gan power amplifier

第43卷第3期 微电子学 VoL43,No.3 胍rD引f卵f,鲫蛔 2013 2013年6月 JurL 1~2 GHz宽带GaN功率放大器的设计与实现 谢晓峰1’2,肖仕伟1,沈川1 (1.中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900;2.中国工程物理研究院研究生部,北京100084) 摘要:针对GaNHEMT的自身特性,采用电抗匹配放大器结构,基于ADS谐波平衡仿真软 件,设计了一个1~2 HEMT大信号模型,并用混合集成电路工艺实现了功率放大器。测试结果显示,功率放大器在1 ~2 dB,最大PAE大于70%。 GHz频带内,饱和输出功率大于40.2dBm,小信号增益大于14 关键词: 氮化镓;功率放大器;宽带;电抗匹配 中图分类号:TN722 文献标识码:A 1—2 a GmW酞蛔Ild Ⅸ!si班a耐h州锄删册of QIN晰加n—i脑 XIE Chuanl Shiweil,SHEN Xiaofen91…,ⅪAO (1.k时矗疵0厂髓拟九。,l耙阮i璐哦馏,饶i徽A翻咖∥玩i船喇馏P矗弼b,舰嚣粥粥,S池跳露621900,P.足Q眺; 2.Gr口d眦抛S旃DD£,CIli抛Amd咖yo,勘gi船酬增P^埘cs,一&巧i馏100084,P.R.Qi徽) BasedonGaN 1—2GHz诚deband was Abstract: HEMT(Hi曲Elect工onM0bilityTranSistor),a poweramplifier networks,谢thAdvanced anefficient渤1.The designedus堍reactivemt出Tlg Agilent’s DesignsysterIl(√气DS)as Cree’sQNHEMT model,and in designed诵th largesignal irnplerIlentedhyb谢ICp-0cess power锄plifier啪s that hadasaturatedabove40.2 small resultsshowedthe dBm,a gain techn0109y.Test power锄plifier power s遮ml 14dBanda PAEabave 1—2GHz band over peak 70%in frequency network 111atching KIey啪rdS:GaN;P0wer锄plifier;Widdkmd;Reactive E】殴姬C:1220 本文利用

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