4h-sic功率mesfet直流i-v特性解析模型 an analytical model of i-v characteristics of 4h-sic power mesfets.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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4h-sic功率mesfet直流i-v特性解析模型 an analytical model of i-v characteristics of 4h-sic power mesfets

第卷第期微电子学 # () ’ YCMZ() [ ’ 年月 !) ! $%’()*)+’(,%- 1;SZ!) ·研究论文 · !#$%功率’($)(*直流!# 特性解析模型徐跃杭!徐锐敏!延波!国云川!王磊 ! ! !电子科技大学微波工程系#四川成都 #’* ! ! 摘要! 提出了一种改进的*+$,-./0,102大信号直流解析模型该模型基于栅极下面电荷 ! ! 的二维分布进行分析!在考虑电场相关迁移率#速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上!计入沟道长度调制效应!建立基于物理的沟道长度调制效应模型计算结果表明!计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的!# 特性较为吻合关键词! $ $ 特性$解析模型 *+$,-. /0,102 !# ! 中图分类号! 5 文献标识码! 文章编号! # $ 23(*4! * 6 ’*$((#!)’$’$* ! !!!! ! !!!! ! $ +,+,-.0%1-.’234.25!# 6-7-1047%80%1825!#$%92:47’($)(* 8 / # # # # 78 9:;$= 78 @:-$A- 963 BC D8E 9:$F:= G63D H;- ? ! # # # # $%’() +,-.)/01%23 ,3%%.,3 53,1%.6,’ ) 28%-’.)3,-9-,%3-%03:;%-3)8) ) =,30 =%3 : 9,-03#’* ?(@(=,30 * 4 4 7 * 47 * 4 ! % $ # +;807-10 6-A JCK;L==MO-F=MACL;MPCJ*+$,-./0,102 QR=QL;K;MC ;L R-F-QS=Q;LC===MQ-QCP ! I N I N # # # O;!$T L-QOJ-S:O-CCPF=J;Q:L;JO; =O; R-OP-;ML$L;;L;F;ACS-M-O K;MCF-O Q=O:J=O-C F=J;S:-ML: ? ? I N N ? I