65nm工艺下基于pci express2.0协议的物理编码子层设计 an efficient physical coding sublayer for pci express2.0 in 65nm cmos.pdfVIP
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65nm工艺下基于pci express2.0协议的物理编码子层设计 an efficient physical coding sublayer for pci express2.0 in 65nm cmos
[ 巾国集成电路
设计 China Circuit
Integrated
65nm工艺下基于PCI
协议的物理编码子层设计★
刘奇浩-,一,翁惠辉1,张锋2,赵建中2,吕俊盛2,李优2
院,湖北荆州,34023:
(1.长江大学电子信息学
2.中国科学院微电子研究所,北京,100029)
摘要:设计了一种应用于PCIExpress2.0协议的物理编码子层,可以与物理媒介连接子层共同构成独立
的物理层芯片。本文从面积与功耗方面对8b10b编解码的两种实现方法进行比较;并设计了复位控制器、
65nm
头字符检测电路、时钟补偿弹性缓冲器、内建自测试等电路。全部电路在SMIC CMOS工艺下综合,ss
mw。
工艺角、工作频率500MHz条件下芯片面积为5500um2,动态功耗为2.74
关键词:PCIExpress2.O;物理编码子层;8b10b编解码;弹性缓冲器
An
Efficient
PhysicalCodingSublayer
forPCI in65nmCMOS
Express2.0
LIU You2
Hui—huil,ZHANGFen92,ZHAOJian-zhon92,LVJun-shen92,LI
Qi—haou,WENG
ofElectronicand 434020,China;
(1.Institute Information,YangtzeUniversity,Jingzhou
2.Instituteof of 1
Microelectronics,Chinese 00029,China)
AcademySciences,Beijing
et*cient at500MHzhasbeen basedon65nmCMOS
Abstract:An
PhysicalCodingSublayeroperating implemented
forPCI was intoPHYwith mediaattachment methodsof
2.0,which
process Express integrated physical layer.Two
8b10beodecwere inareaand resetcontrollerfor
compared dynamicpowerconsumption.A
bufferforclock andbuilt—in—self_testcircuitwere circuitwas atthe
compensation employ
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