100 nm超浅结制作工艺研究 a study on 100 nm ultra-shallow junction process.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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100 nm超浅结制作工艺研究 a study on 100 nm ultra-shallow junction process.pdf

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100 nm超浅结制作工艺研究 a study on 100 nm ultra-shallow junction process

第.( 卷第! 期微电子学 RB\ .( ，] ! !( 年) 月 !#$%’#($%)#* 1AC\ !( !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! ! #$ 超浅结制作工艺研究王学毅，徐岚，唐绍根（中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆 )# ）摘要：在对深亚微米技术的探索中，通过实践，得到了’ *+ 以下, 型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法，并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。关键词：超浅结；快速热退火；离子注入；沟道效应；瞬态增强扩散效应中图分类号： -,./0 . 文献标识码： 1 文章编号：’)$..#/（!( ）!$’(($. % ’()* +# ! #$ ,-’./01/--+2 3(#4’5+# 6.+4788 21,3 456$78 ，49 :;* ，-1,3 =;$?6* （!#$%’ (’)**%*+ ,- !,./ !**+ 01#%*) ，0$,’23’2 )# ，45 65 0$’ ） %98’./4’ ： 1* ,$@7A6 5B@C;$D=;BBE F5*G@8* 8D H@;8*6I H7 5D8*? BE 6*6C?7 8+AB;*@;@8* ;*I C;A8I @=6C+;B ;**6;B8*? （J-1 ）0 -=6 F5*G@8* I6A@= 8D B6DD @=;* ’ *+ E8@= =8?= IA8*? G*G6*@C;@8*0 K5C@=6C+C6 ，G=;**6B8*? ;*I @C;*D86*@ 6*$ =;*G6+6*@ I8LL5D8* （-MN ）6LL6G@D ，E=8G= ;C6 O6C7 8+AC@;*@ 8* @=6 ACG6DD ，;C6 ;BD I8DG5DD6I0 :7* 2+.)8 ： 9B@C;$D=;BBE F5*G@8* ；J;A8I @=6C+;B ;**6;B8*? ；P* 8+AB;*@;@8* ；Q=;**6B8*? 6LL6G@ ；-C;*D86*@ 6*$ =;*G6+6*@ I8LL5D8* ;;% ： !/. 退火技术就是理想的选择。本文采用能量为 ’ ’ 引言 W6R ，剂量’M’/ 的1D 离子，注入电阻率为( X ’. ! ·G+ 的’ ++ Y 型（’ ）硅片，形成预掺杂层。在R:P 制造工艺中，工艺技术进步的标志性成这里选择电阻率为( X ’. ! ·G+ 的硅片来进行实果是光刻特征线条的宽度。特征线条宽度不断缩小验，在无形之间增大了结深，加大了实验的难度，但导致杂质的横向扩散对实际工艺线条影响越来越是能得到更好的浓度分布。然后采用 J-1 ，先在大，也使得纵向的超浅结技术成为半导体工艺技术 #/ Z 预退火. D ，再在 ’ / Z 温度下退火. D 。研究中的一大热点。结深小于’ *+ 的超浅结技